[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
申请号: | 201910367138.8 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110061025A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 孔翠翠;许爱春;郭振;王淞山;赵强 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换膜 图像传感器 光电元件 遮光膜 开口 衬底 栅格 地埋 制造 | ||
本公开涉及图像传感器及其制造方法。一种图像传感器,包括:衬底,其中具有多个光电元件;光电转换膜,位于所述衬底上;遮光膜,限定多个第一开口,所述多个第一开口分别对应地设置在所述多个光电元件的上方,其中所述遮光膜埋设在所述光电转换膜内;栅格,位于所述遮光膜上且限定多个第二开口,所述多个第二开口分别对应地设置所述多个光电元件的上方,其中所述栅格至少部分地埋设在所述光电转换膜内。
技术领域
本公开整体地涉及成像领域,并且更具体地来说,涉及图像传感及其制造方法。
背景技术
图像传感器常在电子设备诸如单反相机、普通数码相机、摄像机、手机、汽车电子和计算机等等中用来捕获图像。本领域中一直存在对改善的图像传感器的需求。
发明内容
本公开的目的之一是提供图像传感器及其制造方法。
根据本公开的一个方面,提供了一种图像传感器,包括:衬底,其中具有多个光电元件;光电转换膜,位于所述衬底上;遮光膜,限定多个第一开口,所述多个第一开口分别对应地设置在所述多个光电元件的上方,其中所述遮光膜埋设在所述光电转换膜内;栅格,位于所述遮光膜上且限定多个第二开口,所述多个第二开口分别对应地设置所述多个光电元件的上方,其中所述栅格至少部分地埋设在所述光电转换膜内。
根据本公开的另一个方面,提供了一种图像传感器的制造方法,包括以下步骤:提供堆叠结构,所述堆叠结构包括:衬底,其中具有多个光电元件;光电转换膜,位于所述衬底上;遮光膜,限定多个第一开口,所述多个第一开口分别对应地设置在所述多个光电元件的上方,其中所述遮光膜埋设在所述光电转换膜内;在所述光电转换膜内形成多个沟槽,所述多个沟槽位于所述遮光膜的与第一开口相邻的部分之上;形成栅格,所述栅格填充在所述多个沟槽中并限定多个第二开口,所述多个第二开口分别对应地设置在所述多个光电单元的上方,并且所述多个第二开口至少部分地被所述光电转膜填充。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述,本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的示例性实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,其中:
图1示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的图像传感器中包括的像素单元阵列和相关电路的示意图;
图2示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的在全局快门模式下操作的像素单元的示意性电路图;
图3A示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的图像传感器的一部分的示例结构的示意性截面图;
图3B示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的图像传感器的示例性操作的示意图;
图4示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例的制造图像传感器的流程图;
图5-图10分别示出了根据本公开的一个或多个示例性实施例制造图像传感器的各个步骤处的示意性截面图。
注意,在以下说明的实施方式中,有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分,而省略其重复说明。在一些情况中,使用相似的标号和字母表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了便于理解,在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此,本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910367138.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的