[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910367138.8 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110061025A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 孔翠翠;许爱春;郭振;王淞山;赵强 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电转换膜 图像传感器 光电元件 遮光膜 开口 衬底 栅格 地埋 制造 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
衬底，其中具有多个光电元件；
光电转换膜，位于所述衬底上；
遮光膜，限定多个第一开口，所述多个第一开口分别对应地设置在所述多个光电元件的上方，其中所述遮光膜埋设在所述光电转换膜内；
栅格，位于所述遮光膜上且限定多个第二开口，所述多个第二开口分别对应地设置所述多个光电元件的上方，其中所述栅格至少部分地埋设在所述光电转换膜内。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，
所述多个第二开口的宽度大于或等于所述多个第一开口的宽度。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
绝缘膜，所述绝缘膜被配置为将所述遮光膜和所述栅格与所述光电转换膜隔离开。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括多个存储单元，所述多个存储单元被构造为存储从所述多个光电元件中的相应光电元件转移的电荷，所述多个存储单元位于所述遮光膜的下方。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换膜包括无机化合物半导体。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换膜包括二硒化铜铟镓(CuInGaSe2)。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述栅格由具有光反射性和/或导电性的材料形成。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述遮光膜由具有导电性的材料形成。
9.根据权利要求7或8所述的图像传感器，其特征在于，所述栅格和所述遮光膜由钨、铝或其组合中的至少一种形成。
10.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供堆叠结构，所述堆叠结构包括：
衬底，其中具有多个光电元件；
光电转换膜，位于所述衬底上；
遮光膜，限定多个第一开口，所述多个第一开口分别对应地设置在所述多个光电元件的上方，其中所述遮光膜埋设在所述光电转换膜内；
在所述光电转换膜内形成多个沟槽，所述多个沟槽位于所述遮光膜的与第一开口相邻的部分之上；
形成栅格，所述栅格填充在所述多个沟槽中并限定多个第二开口，所述多个第二开口分别对应地设置在所述多个光电单元的上方，并且所述多个第二开口至少部分地被所述光电转膜填充。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
