[发明专利]形成三维存储器的方法及三维存储器有效
| 申请号： | 201910362607.7 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110034123B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李磊;王秉国;宋海;李拓 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 三维 存储器 方法 | ||
1.一种形成三维存储器的方法，该方法包括：
提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、形成于衬底上的堆叠结构以及穿过所述堆叠结构的沟道孔；
在所述沟道孔中形成电荷存储层，所述电荷存储层包括阻挡层、电荷捕获层和隧穿层；
清除所述电荷存储层表面的有机物杂质，包括使用清洗剂清除所述电荷存储层表面的有机物杂质，所述清洗剂为碱性溶液与氧化剂的混合液；以及
在经过清除之后的所述电荷存储层的表面沉积非晶体沟道层，以及对所述非晶沟道层进行高温退火形成晶体沟道层。
2.如权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述清洗剂为SC1溶液，所述SC1溶液为NH3·H2O与H2O2、H2O的混合溶液。
3.如权利要求2所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述SC1溶液中NH3·H2O、H2O2、H2O的配比为1-5:1-5:50-100。
4.如权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述清洗剂为Na2CO3或NaHCO3与H2O2、H2O的混合溶液。
5.如权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，在所述沟道孔中形成电荷存储层之前还包括：在所述沟道孔中形成高K系数阻挡层。
6.如权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，在所述沟道孔中形成电荷存储层之后还包括：对所述电荷存储层进行化学机械磨平至所述堆叠结构暴露出来。
7.如权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，对非晶沟道层进行高温退火形成晶体沟道层之后还包括：填充所述沟道孔中的空隙。
8.如权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述高温退火的条件为在600-700℃的温度下退火5-15小时。
9.一种三维存储器，其采用如权利要求1-8任一项所述的方法制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
