[发明专利]一种QLED器件及其制备方法、显示面板

说明书

本发明的实施例提供一种QLED器件及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可避免QLED器件漏电。一种QLED器件，包括：依次层叠设置于衬底上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述QLED器件还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述量子点发光层靠近所述空穴传输层一侧，和/或，设置于所述量子点发光层靠近所述电子传输层一侧；所述阻挡层包括分散排列的纳米颗粒。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法、显示面板。

背景技术

量子点是半径小于或接近波尔激子半径的纳米颗粒，具有发光光谱窄、发光波长可调控、光谱纯度高等优点，将量子点作为发光层的制作材料，能够在不同的导电材料之间引入发光层，从而得到所需要波长的光。

QLED(Quantum Dot Light-emitting Diode，量子点发光二极管)具有的快速响应、高对比度、低启动电压、广视角等优点，使其在显示领域以及照明领域具有很大的应用前景，有希望成为下一代发光器件的核心部分。

发明内容

本发明的实施例提供一种QLED器件及其制备方法、显示面板，可避免QLED器件漏电。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种QLED器件，包括：依次层叠设置于衬底上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述QLED器件还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述量子点发光层靠近所述空穴传输层一侧，和/或，设置于所述量子点发光层靠近所述电子传输层一侧；所述阻挡层包括分散排列的纳米颗粒。

可选的，所述阻挡层为两层，其中一层所述阻挡层设置在所述量子点发光层靠近所述空穴传输层的一侧，另一层所述阻挡层设置在所述量子点发光层靠近所述电子传输层的一侧。

可选的，所述阻挡层的材料为绝缘纳米材料；所述纳米颗粒的直径小于所述量子点发光层的量子点粒子的直径。

可选的，所述纳米颗粒的直径为2～5nm。

可选的，所述阻挡层的厚度为6～12nm。

第二方面，提供一种显示面板，包括：衬底、设置于所述衬底上每个亚像素区的QLED器件，所述QLED器件为上述的QLED器件。

第三方面，提供一种QLED器件的制备方法，包括：在衬底上沿所述衬底的厚度方向，依次形成阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子注入层、电子传输层和阴极；所述QLED器件的制备方法还包括：形成阻挡层，所述阻挡层位于所述量子点发光层靠近所述空穴传输层一侧，和/或，位于所述量子点发光层靠近所述电子传输层一侧；所述阻挡层包括分散排列的纳米颗粒。

可选的，在所述阻挡层位于所述量子点发光层靠近所述空穴传输层一侧的情况下，形成所述阻挡层，包括：将所述纳米颗粒均匀分散于溶液中，将所述溶液形成于所述空穴传输层靠近所述量子点发光层的一侧，所述溶液干燥后，形成所述阻挡层；其中，所述溶液包括乙醇、乙醇胺和添加剂。

可选的，在所述阻挡层位于所述量子点发光层靠近所述电子传输层一侧的情况下，形成所述阻挡层，包括：将所述纳米颗粒均匀分散于溶液中，将所述溶液形成于所述量子点发光层靠近所述电子传输层的一侧，所述溶液干燥后，形成所述阻挡层；其中，所述溶液包括乙醇、乙醇胺和添加剂。

可选的，所述纳米颗粒的材料选自绝缘纳米材料；所述纳米颗粒的直径小于所述量子点发光层的量子点粒子的直径。