[发明专利]一种QLED器件及其制备方法、显示面板有效
| 申请号： | 201910357706.6 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110048009B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 赵德江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种QLED器件，其特征在于，包括：依次层叠设置于衬底上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
所述QLED器件还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述量子点发光层靠近所述空穴传输层一侧，和/或，设置于所述量子点发光层靠近所述电子传输层一侧；
所述阻挡层包括分散排列的纳米颗粒；
所述阻挡层的材料为绝缘纳米材料；
所述纳米颗粒的直径小于所述量子点发光层的量子点粒子的直径。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述阻挡层为两层，其中一层所述阻挡层设置在所述量子点发光层靠近所述空穴传输层的一侧，另一层所述阻挡层设置在所述量子点发光层靠近所述电子传输层的一侧。
3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述纳米颗粒的直径为2～5nm。
4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述阻挡层的厚度为6～12nm。
5.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上每个亚像素区的QLED器件，所述QLED器件为权利要求1-4任一项所述的QLED器件。
6.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上沿所述衬底的厚度方向，依次形成阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子注入层、电子传输层和阴极；
所述QLED器件的制备方法还包括：形成阻挡层，所述阻挡层位于所述量子点发光层靠近所述空穴传输层一侧，和/或，位于所述量子点发光层靠近所述电子传输层一侧；
所述阻挡层包括分散排列的纳米颗粒；
所述阻挡层的材料为绝缘纳米材料；
所述纳米颗粒的直径小于所述量子点发光层的量子点粒子的直径。
7.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，
在所述阻挡层位于所述量子点发光层靠近所述空穴传输层一侧的情况下，形成所述阻挡层，包括：
将所述纳米颗粒均匀分散于溶液中，将所述溶液形成于所述空穴传输层靠近所述量子点发光层的一侧，所述溶液干燥后，形成所述阻挡层；
其中，所述溶液包括乙醇、乙醇胺和添加剂。
8.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，
在所述阻挡层位于所述量子点发光层靠近所述电子传输层一侧的情况下，形成所述阻挡层，包括：
将所述纳米颗粒均匀分散于溶液中，将所述溶液形成于所述量子点发光层靠近所述电子传输层的一侧，所述溶液干燥后，形成所述阻挡层；
其中，所述溶液包括乙醇、乙醇胺和添加剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
