[发明专利]基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法

说明书

本发明提供一种能够削减处理基片时的气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部、分隔壁部和液供给部。基片处理部对基片实施液处理。分隔壁部将从能够送入基片的送入送出口至基片处理部为止的第一空间与第一空间以外的第二空间分隔。液供给部设置在第二空间，将处理液供给到基片。

技术领域

本发明涉及基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法。

背景技术

一直以来，在处理半导体晶片(以下称为晶片。)等基片的基片处理装置中，对壳体内供给使用FFU(Fan Filter Unit，风机过滤机组)进行了滤清的大气气氛(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-319845号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够削减处理基片时的气氛调节气体的使用量的技术。

用于解决技术问题的技术手段

本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部、分隔壁部和液供给部。基片处理部对基片实施液处理。分隔壁部将从能够送入上述基片的送入送出口至上述基片处理部为止的第一空间和上述第一空间以外的第二空间分隔。液供给部设置在上述第二空间，并将处理液供给到上述基片。

发明效果

依照本发明，能够削减处理基片时的气氛调节气体的使用量。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的示意图。

图2是表示实施方式的处理单元的结构的俯视图。

图3是表示图2中的A-A线截面图。

图4A是表示实施方式的液处理的一工序的示意图(1)。

图4B是表示实施方式的液处理的一工序的示意图(2)。

图4C是表示实施方式的液处理的一工序的示意图(3)。

图4D是表示实施方式的液处理的一工序的示意图(4)。

图5A是用于说明实施方式的流入抑制部的一例的示意图。

图5B是用于说明实施方式的流入抑制部的另一例的示意图。

图5C是用于说明实施方式的流入抑制部的又一例的示意图。

图6是表示实施方式的变形例1的处理单元的结构的俯视图。

图7是表示实施方式的变形例2的处理单元的结构的俯视图。

图8A是表示由实施方式的变形例3的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(1)。

图8B是表示由实施方式的变形例3的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(2)。

图8C是表示由实施方式的变形例3的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(3)。

图8D是表示由实施方式的变形例3的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(2)。

图9A是表示由实施方式的变形例4的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(1)。

图9B是表示由实施方式的变形例4的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(2)。

图9C是表示由实施方式的变形例4的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(3)。