[发明专利]晶圆键合装置在审
申请号: | 201910327995.5 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN111834246A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 丁刘胜;王诗男 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/18 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆键合 装置 | ||
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆键合装置。所述晶圆键合装置包括晶圆放置台;所述晶圆放置台包括:凹槽,位于所述晶圆放置台的表面,用于容纳晶圆,且所述凹槽相对于水平方向倾斜预设角度,使得所述晶圆能够自所述凹槽的第一端部滑动至与所述第一端部相对的第二端部;凸起,位于所述第二端部,且凸设于所述凹槽的侧壁表面,所述凸起用于与所述晶圆的缺口卡合。本发明简化了晶圆键合过程中的对准操作,提高了晶圆键合效率,降低了晶圆的键合成本。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆键合装置。
背景技术
经过半个世纪的高速发展,微电子技术和依托于微电子技术的信息技术已经对人类社会的发展产生了革命性的影响。然而,当今必须面对的问题是:传统晶体管的物理极限不断逼近,更小尺寸的制造技术越来越困难,集成电路的功耗不断增大,晶圆厂的投资迅速攀升。在这种情况下,如何继续保持微电子技术以摩尔定律所描述的速度持续发展,已经成为今天整个行业都在努力解决的问题。
三维集成电路的出现,为半导体和微电子技术的持续发展提供了一个新的技术解决方案。所谓三维集成电路,广义上是将具有集成电路的晶圆经过键合工艺形成键合晶圆,通过穿透晶圆的三维结构互连实现多层之间的信号连接。三维集成电路能够实现更小的芯片面积、更短的芯片间互连、更高的数据传输带宽以及不同工艺技术的异质集成,从而大幅度降低芯片功耗,减小延时,提高性能,扩展功能,并为实现复杂功能的片上系统(SOC)提供可能。
在晶圆键合工艺中,有些键合并不需要进行图像间的对准,而仅仅需要晶圆级别的对准即可,例如硅/硅键合、氧化硅/氧化硅键合等。但是,现有技术在实现这些晶圆级对准键合的过程中,需要使用价格昂贵的键合机台进行对准键合,这就导致了资源的浪费以及晶圆键合成本的升高。
因此,如何降低晶圆键合成本,简化晶圆键合过程中的对准操作,是目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种晶圆键合装置,用于解决现有技术中晶圆键合操作较为繁琐的问题,提高晶圆键合效率,并降低晶圆键合的成本。
为了解决上述问题,本发明提供了一种晶圆键合装置,包括晶圆放置台;所述晶圆放置台包括:
凹槽,位于所述晶圆放置台的表面,用于容纳晶圆,且所述凹槽相对于水平方向倾斜预设角度,使得所述晶圆能够自所述凹槽的第一端部滑动至与所述第一端部相对的第二端部;
凸起,位于所述第二端部,且凸设于所述凹槽的侧壁表面,所述凸起用于与所述晶圆的缺口卡合。
优选的,所述第二端部为弧形。
优选的,所述凹槽还包括与所述侧壁连接的底壁,所述底壁用于承载所述晶圆;所述凸起自所述底壁沿所述侧壁延伸,且所述凸起的高度大于或等于所述凹槽的深度。
优选的,所述底壁中具有开口,所述开口沿自所述第一端部指向所述第二端部的方向延伸。
优选的,所述凹槽的深度为2mm~5mm。
优选的,所述凸起的形状为三角形或者弧形。
优选的,所述预设角度为大于0度且小于或等于45度。
优选的,还包括用于支撑所述晶圆放置台的支架;所述晶圆放置台相对所述水平方向倾斜连接于所述支架顶部。
优选的,所述支架包括至少一沿所述水平方向延伸的固定架和至少一沿竖直方向延伸的支撑柱;所述支撑柱的一端与所述固定架连接、另一端与所述晶圆放置台连接。
优选的,所述支架还包括连接件;所述连接件用于连接所述晶圆放置台与所述支撑柱、并调整所述晶圆放置台相对于所述水平方向的倾斜角度。
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