[发明专利]一种存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底基板，所述衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区，所述有源区和所述浅槽隔离区间隔设置；

位于所述浅槽隔离区对应的所述衬底基板一侧的隔离层，所述隔离层内形成有凹槽结构；

位于所述有源区对应的衬底基板一侧的第一浮栅；

位于所述第一浮栅和所述凹槽结构内壁表面上的第二浮栅，所述第二浮栅在所述凹槽结构的底面位置断开连接；

位于所述第二浮栅上的介质层，所述介质层覆盖暴露在所述第二浮栅外的所述隔离层；

位于所述介质层上的控制栅。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述有源区对应的所述衬底基板的上表面所在平面位于所述凹槽结构的底面所在平面之上。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述第一浮栅的厚度为D1，其中，100nm≤D1≤200nm。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述第二浮栅的厚度为D2，其中，5nm≤D2≤20nm。

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿所述有源区指向所述浅槽隔离区的方向，所述凹槽结构的开口宽度为D3，其中，30nm≤D3≤80nm；

沿垂直所述衬底基板的方向，所述凹槽结构的开口深度为D4，其中，50nm≤D4≤100nm。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿所述有源区指向所述浅槽隔离区的方向，相邻两个所述第二浮栅之间的距离为L1，其中，L1≥10nm。

7.一种存储器的制备方法，用于制备权利要求1-6任一项所述的存储器，其特征在于，包括：

提供衬底基板并在所述衬底基板上形成多个有源区和多个浅槽隔离区，所述有源区和所述浅槽隔离区间隔设置；

在所述浅槽隔离区填充隔离层；

在所述有源区对应的所述衬底基板一侧制备第一浮栅；

在所述隔离层内制备凹槽结构；

在所述第一浮栅和所述凹槽结构内壁表面上制备第二浮栅，所述第二浮栅在所述凹槽结构的底面位置断开连接；

在所述第二浮栅上制备介质层，所述介质层覆盖暴露在所述第二浮栅外的所述隔离层；

在所述介质层上制备控制栅。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成多个有源区和多个浅槽隔离区，包括：

在衬底基板上依次制作第一垫层和第二垫层；

刻蚀部分所述衬底基板、所述第一垫层以及所述第二垫层，形成多个浅槽隔离区，未刻蚀部分所述衬底基板、所述第一垫层以及所述第二垫层形成多个有源区；

在所述浅槽隔离区填充隔离层，包括：

在所述浅槽隔离区填充隔离层；

采用化学机械研磨技术对所述隔离层进行研磨，所述隔离层与所述第二垫层表面齐平。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述有源区对应的所述衬底基板一侧制备第一浮栅，包括：

去除所述第一垫层和所述第二垫层，暴露出所述有源区对应的所述衬底基板；

利用等离子注入技术在所述有源区对应的所述衬底基板的上表面制备掺杂层；

在所述掺杂层上制备隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层上制备第一浮栅。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述隔离层内制备凹槽结构，包括：

采用干法刻蚀工艺对所述隔离层进行刻蚀，制备凹槽结构。