[发明专利]一种金属铝的刻蚀方法

说明书

本发明提供一种金属铝的刻蚀方法，所述方法包括：提供一测试铝线结构，所述测试铝线结构从下至上依次包括基底、底电极金属层、金属铝层、底部抗反射涂层和图形化的光刻胶层；对所述底部抗反射涂层进行BARC刻蚀，并剩余部分底部抗反射涂层；对剩余的部分底部抗反射涂层以及金属铝层进行BT刻蚀，停止于所述金属铝层并剩余部分金属铝层；采用终点检测法对剩余的部分金属铝层以及底电极金属层进行AL刻蚀；去除光刻胶。本发明能够有效解决现有技术中薄铝表面不平对关键尺寸和刻蚀形貌的影响以及铝线包不住铝通孔的问题，进而有效提高关键尺寸的均匀性，消除介质表面不平，有效提高刻蚀良品率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种金属铝的刻蚀方法。

背景技术

金属铝在半导体工艺中，一般作为金属连接线和用于封装测试的铝PAD焊盘，厚度一般为几K或几微米。作为金属连接线，在线宽较小时，一般采用三明治结构。

由于在半导体生产研发过程中，如果等到最终测试再反馈，周期较长，所以在研发时期，器件做完后，做一层薄铝(铝线)，直接去测试，可以大大缩短研发周期。

目前，金属铝的刻蚀方法具体步骤如下：

如图1所示，在刻蚀前提供一测试铝线结构，所述测试铝线结构从下至上依次包括基底(即图1中的TEOS所示，其中，TEOS：正硅酸乙酯，化学式Si(OC₂H₅)₄)、底电极金属层、金属铝层(即图1中的AL所示)、底部抗反射涂层(即图1中的BARC所示，其中，BARC，BottomAnti-Reflective Coating，)和图形化的光刻胶层(即图1中的PR所示，其中，PR，PhotoResist)；

如图2所示，对所述底部抗反射涂层直接进行BARC刻蚀，并停止于AL层；

如图3所示，对所述金属铝层以及底电极金属层进行AL刻蚀。

如图1至图3所示，现有技术中至少存在如下技术问题：一方面由于薄铝结构表面要扎针测试，所以没有上层抗反射层，由于铝淀积后，表面不平；另一方面刻蚀后铝线关键尺寸均匀性较差，而且会导致下层介质表面不平，部分铝线未能包住铜通孔；进而严重影响整体性能。

发明内容

本发明提供的金属铝的刻蚀方法，能够有效解决现有技术中薄铝表面不平对关键尺寸(CD)和刻蚀形貌的影响以及铝线包不住铝通孔的问题，进而有效提高CD均匀性，消除介质表面不平，有效提高刻蚀良品率。

第一方面，本发明提供一种金属铝的刻蚀方法，包括：

提供一测试铝线结构，所述测试铝线结构从下至上依次包括基底、底电极金属层、金属铝层、底部抗反射涂层和图形化的光刻胶层；

对所述底部抗反射涂层进行BARC刻蚀，并剩余部分底部抗反射涂层；

对剩余的部分底部抗反射涂层以及金属铝层进行BT刻蚀，停止于所述金属铝层并剩余部分金属铝层；

采用终点检测法对剩余的部分金属铝层以及底电极金属层进行AL刻蚀；

去除光刻胶。

可选地，在所述对所述底部抗反射涂层进行BARC刻蚀，并剩余部分底部抗反射涂层之前，所述方法还包括：

获取底部抗反射涂层厚度参数、剩余部分底部抗反射涂层的厚度、金属铝层厚度参数、剩余部分金属铝层的厚度、BARC刻蚀参数、BT刻蚀参数。

可选地，所述对所述底部抗反射涂层进行BARC刻蚀，并剩余部分底部抗反射涂层包括：

根据所述底部抗反射涂层厚度参数、所述剩余部分底部抗反射涂层的厚度以及所述BARC刻蚀参数确定第一预设时间；