[发明专利]基板加热单元和具有基板加热单元的基板处理装置有效
申请号: | 201910304497.9 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110391154B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 金贤秀 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H05B3/20 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 侯志源 |
地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 单元 具有 处理 装置 | ||
本发明构思涉及基板加热单元。所述基板加热单元包括:卡盘台,其具有由基部和侧壁限定的内部空间;加热单元,其设置在所述卡盘台的所述内部空间中;以及石英窗,其配置为覆盖所述卡盘台的所述内部空间并具有上表面,所述基板放置在所述上表面上。所述加热单元具有加热板,其,其具有在其中心带有开口的盘形;以及加热模块,其安装在所述加热板上的彼此分开的各自加热区中,每个所述加热模块具有印刷电路板,所述印刷电路板上安装有加热光源,所述加热光源发出用于加热的光。
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年4月16日提交的申请号为10-2018-0043803的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施方案涉及基板处理装置,尤其地,涉及用于在基板处理期间在加热基板的情况下执行工艺的基板处理装置。
背景技术
通常,在制造平板显示设备或半导体的工艺中,执行诸如光刻胶涂覆工艺、显影工艺、刻蚀工艺和灰化工艺等的各种工艺,以处理玻璃基板或晶圆。
在各工艺中,执行使用化学品或去离子水的湿法清洁工艺和用于干燥残留在基板表面上的化学品或去离子水的干燥工艺,以去除粘附在基板上的各种污染物。
近年来,已经使用了通过在高温下使用诸如硫酸或磷酸的化学溶液来选择性地去除氮化硅膜和氧化硅膜的刻蚀工艺。
使用IR灯具加热基板的基板加热装置被应用于使用高温化学溶液的基板处理装置,以提高刻蚀速率。
然而,常规的基板加热装置的IR灯具以等间距设置,其中最外侧的灯具具有比基板更小的尺寸,且最内侧的灯具具有考虑到中心喷嘴的特定尺寸。因此,如图1的曲线图所示,基板边缘和中心区域上的光强分布迅速下降。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了用于在基板处理期间均匀地加热基板的基板加热单元,以及具有该基板加热单元的基板处理装置。
本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题,且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方案,一种用于支承基板的装置包括:卡盘台,其具有由基部和侧壁限定的内部空间;加热单元,其设置在所述卡盘台的所述内部空间中;以及石英窗,其覆盖所述卡盘台的所述内部空间,且具有放置基板的上表面。所述加热单元包括加热板,其具有在中心带有开口的盘形状;和加热模块,其安装在所述加热板上的彼此分开的各自的加热区中,每个加热模块具有印刷电路板,印刷电路板上安装有加热光源,所述加热光源发出用于加热的光。
加热光源可根据加热区在不同方向上发出用于加热基板的光,用于改进基板的加热均匀性。
加热模块可平行或倾斜于基板,或可相对于基板为弯曲的。
加热区相对于距加热板中心的距离可至少包括中心区、周边区、以及的二者之间的至少一个中间区。
中心区、周边区和中间区中的至少一个可以被划分为具有预定中心角的等角区。
加热区可包括相对于加热板彼此分开的具有预定中心角的扇形等角区。
至少一个加热区可以为倾斜的或弯曲的,以使得用于加热的光聚集到基板的特定区域上。
至少一个加热区可以位向下倾斜的或朝外凸出的,以使得用于加热的光被分散。
各加热模块还可包括印刷电路板的底侧上的排热构件。
加热板可具有排热结构,所述排热结构具有流体流经的流体流动通道,以排出由加热模块产生的热量。
加热光源可包括发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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