[发明专利]一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法

权利要求书

1.一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底表面沉积基底介质层；

在基底介质层中刻蚀开孔，露出所述衬底表面的外延生长区域；

在所述外延生长区域内外延生长锗单晶层；

采用离子注入方法在所述锗单晶层中注入铅离子，所述铅离子的注入剂量大于0.1×10¹⁶ cm^-2；以及

对注入有铅离子的锗单晶层进行激光退火，形成锗铅合金；所述锗铅合金中铅含量大于零且小于等于2%；所述激光退火采用超短脉冲宽度激光退火，激光波长为193 nm或者248nm，激光脉冲宽度为ns或者fs量级，激光脉冲数量为1-10次；

所述衬底为单晶硅衬底，所述基底介质层为氮化硅或氧化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的基底介质层的厚度为200-1000nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锗单晶层的厚度为200-2000nm。

4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铅离子的注入剂量为0.1×10¹⁶-1×10¹⁷ cm^-2，注入能量为40-60 keV。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锗铅合金中铅含量为0.1%、0.2%、0.3%、0.4%、0.5%、0.6%、0.7%、0.8%、0.9%、1.0%、1.2%、1.4%、1.5%、1.6%、1.8%或2.0%。