[发明专利]一种高纯度高硼硅粉的制取方法

说明书

本发明公开了一种高纯度高硼硅粉的制取方法，通过将高纯度单质硅和硼化合物或者单质机械混合进行高温熔炼后，进行渣金分离，再对合金进行磨粉、酸洗，酸洗后进行固液分离，去除大部分磷，钙，铝，铁，制得高纯度的硼硅粉。本发明方法通过调整硅硼合金的配比，使硅粉中含有0.01％‑0.5％的硼，在靶材的制作过程中，可以有效的控制靶材的电阻率，流程简洁高效，易产业化。

技术领域

本发明涉及靶材材料制取技术领域，特别涉及一种高纯度高硼硅粉的制取方法

背景技术

众所周知，靶材广泛运用于太阳能电池，半导体，平板电脑平板电视，手机，汽车玻璃等行业。靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。传统的旋转硅靶材做出来的硅靶电阻率比较高，已经没有办法满足快速发展低电阻硅靶材的需求。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明的目的是提供一种高纯度高硼硅粉的制取方法，该发明方法通过调整硅硼合金的配比，可以有效的控制靶材的电阻率，流程简洁高效，易产业化。

为实现上述发明目的，本发明采取的具体技术方案是：

一种高纯度高硼硅粉的制取方法，包括以下步骤：

1)合金制取：开启中频感应电炉，预先把高纯度单质硅和硼化合物或者单质机械混合均匀后加入电炉，加热熔化，硅硼全部熔化后，保持温度在 1500-1750度下熔炼1-3小时，除去上部的硅渣，倒入地模冷却，冷却后，得到高纯度的硅硼合金；

2)磨粉：将分选出来的合金块破碎磨粉；

3)酸洗提纯：在合金粉中加入配置好的混合溶液，搅拌反应完成后，使用高纯水进行清洗后烘干包装。

为了更好的实现本发明，所述步骤1)中，所采用的原料为硅粉或者硅块，纯度99.9％以上；硼化合物为碳化硼或氧化硼或硼砂。

为了更好的实现本发明，所述步骤1)中，硼化合物或者单质，加入量为硼在合金中的含量为0.01-0.5％之间。

为了更好的实现本发明，所述步骤2)中，所述磨粉粒度为80目-325目之间。

为了更好的实现本发明，合金粉粒度大于80目的不超过1％，小于325目不大于5％。

为了更好的实现本发明，所述步骤3)中，加入的混合溶液为HNO₃-HF-HCl 的混合溶液，其中HNO₃的浓度为1-20％，HF浓度为1-20％，HCl浓度为1-30％。

为了更好的实现本发明，步骤3)中，固液比为1：1-1：5。

为了更好的实现本发明，步骤3)中，搅拌反应时间为1-10小时。

本发明还提供了一种高纯度高硼硅粉，由上述制取方法制得。

与现有技术相比较，本发明具有以下有益效果：

1、本发明通过采用在硅中加入硼元素，形成硅硼合金，再磨成粉，使硅粉中含有0.01％-0.5％的硼，在靶材的制作过程中，可以得到电阻率在 0.01-0.05欧姆厘米的靶材，满足了快速发展中低电阻硅靶材的需求。

2、本发明采用先把硅硼合金化，再进行磨粉酸洗，产品进行了二次提纯，具有高效，节能，产品稳定，低成本的特点。

3、、本发明在酸洗溶液中加入了特别组元，P、Ca、Al、Fe去除率高，只有少量残留，且该酸洗溶液对B无明显影响。

具体实施方式