[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上由栅极层和栅极间介电层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区以及台阶区，所述第一轴为所述衬底表面所在平面内沿所述核心存储区延伸的轴；

所述核心存储区中的沟道孔，所述沟道孔中形成有存储单元串；

所述台阶区的分区台阶，沿第一轴方向所述分区台阶中台阶的长度呈渐进变化。

2.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，沿第一轴方向所述分区台阶中台阶的长度呈渐进变化为：沿第一轴方向所述分区台阶中各台阶的长度逐级呈渐进变化。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，沿第一轴方向所述分区台阶划分为多个区域，每个区域中的台阶具有基本相同的长度，沿第一轴方向所述分区台阶中台阶的长度呈渐进变化为：沿第一轴方向所述分区台阶中各区域间台阶的长度呈渐进变化。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述多个区域分别为顶部区域、中部区域和底部区域。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器件，其特征在于，所述渐进变化为从顶层台阶至底层台阶长度依次递增。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器件，其特征在于，所述渐进变化为从顶层台阶至底层台阶长度依次递减。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述分区台阶包括的n个分区，第1分区位于中心，第2分区至第n分区沿第二轴的两个方向依次排布，且沿所述第一轴朝向所述核心存储区方向，各分区的台阶依次递增n级，沿所述第二轴的两个方向，每一层的台阶从第n分区至第1分区依次递增1级，n为大于1的自然数，所述第二轴为所述衬底表面所在平面内与所述第一轴正交的轴。

8.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：所述分区台阶的台阶上的接触结构。

9.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区以及台阶区；

在所述台阶区形成分区台阶，沿第一轴方向所述分区台阶中台阶的长度呈渐进变化，所述第一轴为所述衬底表面所在平面内沿所述核心存储区延伸的轴；

在所述核心存储区中形成存储单元串。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述分区台阶包括的n个分区，第1分区位于中心，第2分区至第n分区沿第二轴的两个方向依次排布，且沿所述第一轴朝向所述核心存储区方向，各分区的台阶依次递增n级，沿所述第二轴的两个方向，每一层的台阶从第n分区至第1分区依次递增1级，n为大于1的自然数，所述第二轴为所述衬底表面所在平面内与所述第一轴正交的轴。