[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910245542.8 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN109935730B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 谢春燕;张嵩;张子予;秦成杰;王品凡;谷朋浩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括基底、设置在所述基底上呈阵列分布且彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区以及位于所述像素岛区与孔区之间的连接桥区,所述连接桥区设置有隔断结构层,所述隔断结构层用于使所述连接桥区的有机发光层和阴极断开。本发明通过在每个连接桥区设置隔断结构层,隔断结构层断开连接桥区的有机发光层和阴极,完全阻断了从孔区入侵到像素岛区的有机发光层和阴极的水汽入侵路径,有效保证了封装的有效性和可靠性,具有设计难度低、制作成本低、易于工艺实现等优点,有效解决了现有封装方案存在的设计难度大、制作成本高、工艺实现困难等问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展,OLED技术越来越多的应用于柔性显示装置中,且柔性显示装置正由二维方向可变模式逐渐发展到三维方向可变模式。
目前,柔性OLED显示装置通常采用岛桥结构。岛桥结构是将发光单元设置在像素岛区,像素岛间连接线设置在连接桥区,施加外力拉伸时,形变主要发生在连接桥区,像素岛区的发光单元基本保持形状,可以保证像素岛区的发光单元不会受到破坏。同时,为了增加柔性显示装置的可变形量,还开设有一系列微孔,因而柔性OLED显示装置是由发光单元所在的像素岛区、岛间连接线所在的连接桥区以及贯通柔性基底的孔区组成。
对于带有微孔结构的柔性OLED显示装置,不仅需要每个像素岛区单独封装,而且需要在孔区断开发光单元的有机发光层和阴极,因为如果孔区包含有机发光层和阴极的话,微孔的侧壁就会暴露出有机发光层和阴极,而暴露在大气中的有机发光层和阴极会很快失效。为了使有机发光层和阴极在孔区断开,现有技术通常是采用有机发光层和阴极图案(Pattern)化工艺,如使用高精度金属掩膜版将有机发光层和阴极仅蒸镀在岛区。但实际使用表明,现有这种封装方案不仅设计难度大、制作成本高,而且工艺实现非常困难。
因此,如何解决现有封装方案存在的设计难度大、制作成本高、工艺实现困难等问题,是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决现有封装方案存在的设计难度大、制作成本高、工艺实现困难等问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示基板,包括基底、设置在所述基底上呈阵列分布且彼此隔开的多个像素岛区、多个孔区以及位于所述像素岛区与孔区之间的连接桥区,所述连接桥区设置有隔断结构层,所述隔断结构层用于使所述连接桥区的有机发光层和阴极断开。
可选地,所述像素岛区包括驱动结构层和限定出像素开口区域的第一像素定义层;所述连接桥区包括用于实现相邻像素岛区之间信号连通的连接线以及覆盖所述连接线的第二像素定义层;所述隔断结构层设置在所述第二像素定义层上。
可选地,所述像素岛区的第一像素定义层与所述连接桥区的第二像素定义层采用相同材料。
可选地,所述隔断结构层包括多个间隔设置的柱体,在垂直于基底的平面内,所述柱体的横截面中,所述柱体远离基底一端的宽度大于柱体靠近基底一端的宽度。
可选地,所述柱体的高度为1μm~4μm,所述柱体远离基底一端的宽度为5μm~10μm,所述柱体靠近基底一端的宽度为3μm~7μm,相邻柱体之间的距离为3μm~10μm。
可选地,所述柱体的横截面形状包括倒梯形,所述倒梯形的上底与侧壁的之间夹角为30°~80°。
可选地,所述隔断结构层还包括包裹所述多个柱体的无机阻水层。
可选地,所述无机阻水层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧化铝,所述隔断结构层的材料包括负性光刻胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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