[发明专利]一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板有效

申请号：	201910199665.2	申请日：	2019-03-15
公开（公告）号：	CN109786324B	公开（公告）日：	2021-08-27
发明（设计）人：	赵永亮;许卓;崔星花	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L27/12
代理公司：	北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319	代理人：	莎日娜
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种低温多晶硅基板及其制作方法阵列
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【说明书】：

本发明提供了一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板，涉及显示技术领域，本发明通过在衬底上形成遮光层薄膜，在遮光层薄膜上形成多晶硅薄膜，通过一次构图工艺对遮光层薄膜和多晶硅薄膜进行图案化处理，以得到遮光层和多晶硅层，多晶硅层在遮光层上的正投影位于遮光层所在的区域内。通过形成在衬底上的遮光层实现遮光效果的同时，代替现有低温多晶硅基板中的缓冲层，在对遮光层薄膜和多晶硅薄膜进行图案化处理时，只需采用一次构图工艺就可得到遮光层和多晶硅层，简化了整个低温多晶硅基板的制作工艺，同时也减小了低温多晶硅基板的厚度，从而可降低低温多晶硅基板的制作成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板。

背景技术

由于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)具有较高的载流子迁移率，可以有效减小薄膜晶体管的面积，从而达到更高的开口率，且能够降低显示面板的功耗，因此，低温多晶硅基板被广泛的应用于显示面板中。

如图1所示，目前在制作低温多晶硅基板时，首先在衬底11上通过构图工艺形成遮光层12，该遮光层12的材料通常采用金属钼，遮光层12的形成步骤主要包括：遮光层薄膜沉积、光刻胶图案化、遮光层薄膜刻蚀，光刻胶剥离等；然后，形成覆盖遮光层12的缓冲层13，该缓冲层13为氮化硅和氧化硅的复合膜层；最后，在缓冲层13上通过构图工艺形成多晶硅层14，多晶硅层14的形成步骤主要包括：多晶硅薄膜的形成、光刻胶图案化、多晶硅薄膜刻蚀，光刻胶剥离等，其中，只有沟道区域处的多晶硅层14在遮光层12上的正投影位于遮光层12所在的区域内。

但是，目前的低温多晶硅基板制作过程中，遮光层12和多晶硅层14的形成分别需要采用一次构图工艺，整个低温多晶硅基板的制作工艺较为复杂，导致低温多晶硅基板的制作成本增加。

发明内容

本发明提供一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板，以解决现有的低温多晶硅基板的制作工艺复杂，导致制作成本增加的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种低温多晶硅基板的制作方法，包括：

在衬底上形成遮光层薄膜；

在所述遮光层薄膜上形成多晶硅薄膜；

通过一次构图工艺对所述遮光层薄膜和所述多晶硅薄膜进行图案化处理，以得到遮光层和多晶硅层；

其中，所述多晶硅层在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层所在的区域内。

优选地，所述遮光层的材料为氧化钼。

优选地，所述通过一次构图工艺对所述遮光层薄膜和所述多晶硅薄膜进行图案化处理，以得到遮光层和多晶硅层的步骤，包括：

在所述多晶硅薄膜上涂覆光刻胶；

采用第一光刻工艺对所述光刻胶进行图案化处理，形成第一光刻胶完全保留区域和第一光刻胶去除区域；