[发明专利]一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板

权利要求书

1.一种低温多晶硅基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成遮光层薄膜；

在所述遮光层薄膜上形成多晶硅薄膜；

通过一次构图工艺对所述遮光层薄膜和所述多晶硅薄膜进行图案化处理，以得到遮光层和多晶硅层；

其中，所述多晶硅层在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层所在的区域内；

所述遮光层的材料为氧化钼；

所述遮光层和所述多晶硅层均采用干法刻蚀工艺形成；

所述遮光层设置在所述多晶硅层对应的位置处，以及薄膜晶体管和信号线对应的位置处，并且所述薄膜晶体管和所述信号线在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层所在的区域内；

所述通过一次构图工艺对所述遮光层薄膜和所述多晶硅薄膜进行图案化处理，以得到遮光层和多晶硅层的步骤，包括：

在所述多晶硅薄膜上涂覆光刻胶；

采用第二光刻工艺对所述光刻胶进行图案化处理，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶去除区域；

采用第二刻蚀工艺对所述第二光刻胶去除区域的多晶硅薄膜进行刻蚀；

采用第三刻蚀工艺对所述第二光刻胶去除区域的遮光层薄膜进行刻蚀；

去除所述第二光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，以得到遮光层和多晶硅层；

其中，所述第二刻蚀工艺所采用的刻蚀气体为Cl2和SF6的混合气体，所述第三刻蚀工艺所采用的刻蚀气体为O2和SF6的混合气体；所述第二刻蚀工艺的刻蚀时长大于所述第三刻蚀工艺的刻蚀时长，或者，所述第二刻蚀工艺所采用的刻蚀气体的浓度大于所述第三刻蚀工艺所采用的刻蚀气体的浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述遮光层薄膜上形成多晶硅薄膜的步骤，包括：

在所述遮光层薄膜上形成非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，使得所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。

3.一种低温多晶硅基板，其特征在于，采用如权利要求1或2所述的方法形成，所述低温多晶硅基板包括：

衬底；

形成在所述衬底上的遮光层；

形成在所述遮光层上的多晶硅层；

其中，所述遮光层和所述多晶硅层是对依次形成在所述衬底上的遮光层薄膜和多晶硅薄膜通过一次构图工艺进行图案化处理后得到的；所述多晶硅层在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层所在的区域内；

所述遮光层的材料为氧化钼；

所述遮光层和所述多晶硅层均采用干法刻蚀工艺形成；

所述遮光层设置在所述多晶硅层对应的位置处，以及薄膜晶体管和信号线对应的位置处，并且所述薄膜晶体管和所述信号线在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层所在的区域内。

4.根据权利要求3所述的低温多晶硅基板，其特征在于，所述遮光层的厚度为至

5.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求3或4所述的低温多晶硅基板。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成在所述低温多晶硅基板上的薄膜晶体管和信号线，且所述薄膜晶体管和信号线在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层所在的区域内。