[发明专利]半导体装置及电力变换装置有效
| 申请号： | 201910155859.2 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110246887B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电力 变换 | ||
1.一种半导体装置，其具备：
阳极层，其p型杂质浓度是恒定的；
第1半导体层，其n型杂质浓度具有分布；以及
第2半导体层，其是与所述阳极层之间夹着所述第1半导体层而配置的，n型杂质浓度比所述第1半导体层高且是恒定的，
所述第1半导体层中的所述阳极层侧的部分的n型杂质浓度比所述阳极层的p型杂质浓度低，
所述第1半导体层中的所述第2半导体层侧的部分的n型杂质浓度比所述阳极层的p型杂质浓度高。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
还具有第3半导体层，该第3半导体层与所述第1半导体层中的与所述第2半导体层所接触的面相同的面接触，该第3半导体层是与所述第2半导体层相邻配置的，该第3半导体层的p型杂质浓度是恒定的。
3.一种半导体装置，其具备：
阳极层，其p型杂质浓度是恒定的；
第1半导体层，其n型杂质浓度具有分布；以及
第2半导体层，其是与所述阳极层之间夹着所述第1半导体层而配置的，n型杂质浓度比所述第1半导体层高且是恒定的，
所述第1半导体层中的所述阳极层侧的部分的n型杂质浓度比所述阳极层的p型杂质浓度低，
所述半导体装置还具备第3半导体层，该第3半导体层配置于所述第1半导体层内，将该第1半导体层区分为所述阳极层侧的部分和所述第2半导体层侧的部分，该第3半导体层的p型杂质浓度是恒定的。
4.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中，
还具有第4半导体层，该第4半导体层相对于所述阳极层配置于与所述第1半导体层相反侧，该第4半导体层的p型杂质浓度比所述阳极层高且具有分布。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述第1半导体层与所述阳极层的末端侧相邻地配置，
该半导体装置还具备末端层，该末端层是与所述阳极层之间夹着所述阳极层的末端侧的所述第1半导体层而配置的，该末端层的p型杂质浓度是恒定的。
6.一种电力变换装置，其具备：
主变换电路，其具有权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，该主变换电路对被输入来的电力进行变换而输出；
控制电路，其将对所述主变换电路进行控制的控制信号输出至所述主变换电路。
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