[发明专利]一种显示面板及其制作方法有效
| 申请号: | 201910150228.1 | 申请日: | 2019-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN109888125B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
| 发明(设计)人: | 马凯;翁德志 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,定义有显示区和边缘区;包括基板以及设置于所述基板上的薄膜封装结构;其中所述薄膜封装结构从下至上依次包括层叠设置的第一无机层、有机层以及第二无机层,其特征在于,
所述边缘区内的第一无机层设置有缓冲槽结构;其中所述缓冲槽能够降低在形成所述有机层时,所述有机层采用的有机材料在所述边缘区的流动速度;
所述的薄膜封装结构还包括凸出设置于所述第一无机层上的至少一缓冲坝,所述缓冲坝与所述缓冲槽结构对应间隔设置;
所述显示面板包括第一挡墙及第二挡墙,所述第二挡墙位于所述第一挡墙和所述显示区之间,所述缓冲坝与所述缓冲槽结构均位于所述第二挡墙和所述显示区之间;所述第二挡墙的高度小于所述第一挡墙的高度,所述有机层的高度小于所述第二挡墙的高度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲槽结构包括第一缓冲槽和第二缓冲槽,其中所述第一缓冲槽临近所述显示区,而所述第二缓冲槽位于所述第一缓冲槽的外侧并远离所述显示区。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一缓冲槽包括“一”形、“C”形、“S”形或“E”形中的一种构型。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二缓冲槽包括“一”形、“C”形、“S”形或“E”形中的一种构型。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲槽结构呈连续封闭的环状结构,所述缓冲槽结构环绕所述显示区设置。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲槽结构呈断点式的环状结构。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板包括薄膜晶体管基板及位于所述薄膜晶体管基板上的发光单元。
8.一种显示面板的制作方法,用于制作如权利要求1-7任一项所述的显示面板,其特征在于,所述方法包括步骤:
制作待封装基板步骤,其为提供一柔性基板,在所述柔性基板上制作薄膜晶体管基板,在所述薄膜晶体管基板上制作发光单元,形成待封装基板;
制作薄膜封装结构步骤,其为在所述待封装基板上从下至上依次层叠形成第一无机层、有机层以及第二无机层构成薄膜封装结构,其具体包括:
制作第一无机层步骤,其为在待封装基板的所述发光单元的一面上形成覆盖所述发光单元的第一无机层,所述第一无机层通过化学气相沉积方式沉积氮化硅、氧化硅或氮氧化硅形成;
制作缓冲槽结构步骤,其为对所述第一无机层划分为显示区和环绕所述显示区的边缘区,在所述边缘区通过刻蚀的方法制作出缓冲槽;
制作缓冲坝步骤,其为在所述第一无机层上通过沉积方式沉积形成至少一缓冲坝,所述缓冲坝与所述缓冲槽结构对应间隔设置;
制作有机层步骤,其为使用喷墨打印设备将流动性有机材料置于所述第一无机层的显示区;所述流动性有机材料流动过程结束后,固化所述流动性有机材料,形成有机层;
制作第二无机层步骤,其为在所述有机层上形成完全覆盖其的第二无机层,依次层叠设置的所述第一无机层、有机层以及第二无机层构成薄膜封装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





