[发明专利]一种防贴片的黑硅制绒装置

说明书

本发明公开了一种防贴片的黑硅制绒装置，包括机械臂、预脱水槽槽体和硅片花篮，所述预脱水槽槽体的顶部设置有开口，机械臂连接硅片花篮，硅片花篮内放置硅片；机械臂包括两组机械杆，两组机械杆分别与硅片花篮相对的两个侧壁连接，两组机械杆之间设置有上下活动的压杆，压杆的底面设置有若干个卡齿；机械臂带动其底部的硅片花篮经预脱水槽槽体顶部的开口纵向运动，压杆向下移动至卡齿将硅片花篮内的若干块硅片依次横向分隔开；本发明的装置设置在硅片烘干前的预脱水槽中，通过在提抓承载器的机械臂上增加可上下活动的压杆，在预脱水槽中，压杆放下，分离硅片，机械臂提升硅片的过程中确保硅片不贴片，硅片经过提拉脱水后，压杆上升抽出。

技术领域

本发明属于硅片制绒技术领域，特别涉及一种防贴片的黑硅制绒装置。

背景技术

太阳能电池技术的核心一直是降低成本和提升效率，制绒工艺一方面可以延长光在硅表面的光程，另一方面可以减少反射损失，从而提升效率。单晶硅片在碱制绒工艺下，反射率11％，而多晶硅片目前常用的酸制绒处理后，反射率16％，反射率偏高导致对光吸收效果变差，进而影响效率。近年来，金属催化化学腐蚀法(MCCE)又称黑硅制绒，作为一种新的制绒技术正在迅速得到大规模应用，该方法通过金属离子催化与硅片接触点的刻蚀速率，在硅片表面形成深坑。从而增大比表面积，形成陷光结构，降低反射率，提升转化效率。

MCCE制绒过程大致为1.碱抛、2.沉银、3.挖孔、4.扩孔、5.后清洗。其中后清洗主要作用为去除表面残余杂质和氧化层。清洗效果直接关系到成品良率以及电池转化效率。

由于黑硅制绒为湿法反应工艺，在烘干前硅片表面难免会残留水滴，这些水滴在硅片间距发生变化时极易造成贴片，最终成为水渍脏污不良片。控制承载器内硅片间距对减少贴片至关重要，目前行业内主要措施为在在承载器上增加带有卡齿的压杆，通过卡齿将硅片分开，但是卡齿会影响硅片制绒效果，容易产生新的制绒不良，本发明在不需增加压杆的方式防止贴片产生。

发明内容

本发明提供一种防贴片的黑硅制绒装置，以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种防贴片的黑硅制绒装置，包括机械臂、预脱水槽槽体和硅片花篮，所述预脱水槽槽体的顶部设置有开口，所述机械臂的下段连接有硅片花篮，所述硅片花篮内放置若干块硅片；

所述机械臂包括两组机械杆，两组机械杆分别与硅片花篮相对的两个侧壁连接，两组机械杆之间设置有上下活动的压杆，所述压杆的底面设置有若干个卡齿；

所述机械臂带动其底部的硅片花篮经预脱水槽槽体顶部的开口纵向运动，当硅片花篮向下运动置于预脱水槽槽体内，且预脱水槽槽体内的纯水液没过于硅片顶面时；压杆向下移动至卡齿将硅片花篮内的若干块硅片依次横向分隔开。

进一步的，所述机械杆上设置有自上而下的运动滑道，所述运动滑道的顶部和底部各连通有一定位槽。

进一步的，所述压杆的两端分别设置有一限位柱，所述限位柱的直径大于压杆的直径，限位柱的直径大于运动滑道的宽度，压杆的直径小于运动滑道的宽度；所述定位槽为一个纵向直径大于横向直径的椭圆形，压杆的直径小于定位槽的横向直径，所述压杆两端的限位柱分别自位于其两端的定位槽的圆心处穿过，所述压杆在运动滑道内上下滑动并最终限位于任意一个定位槽内。

进一步的，所述机械杆的下段通过螺钉与硅片花篮的侧壁可拆卸式连接。

进一步的，每组机械杆均为2根，同组的2根机械杆连接硅片花篮的同一个侧壁。

进一步的，若干个卡齿依次等间距的排布于压杆的底面上。

进一步的，所述硅片放置于硅片花篮内，且硅片的顶面高于硅片花篮的顶面，所述运动滑道底部的定位槽高于硅片花篮的顶面并低于硅片的顶面。