[发明专利]一种光亮铜膜或铜合金膜减反射工艺

说明书

本发明涉及一种光亮铜膜或铜合金膜减反射工艺，所述工艺为：对光亮的铜膜或铜合金膜进行黑氧化处理，黑氧化处理的温度为40‑60℃，时间为0.5‑5min，处理结束后烘干，降低了铜膜或铜合金膜的反射率；所述光亮的铜膜或铜合金膜的厚度为0.1‑1μm，在380‑780nm波长内的反射率＞30％。本发明通过对试剂的调配以及工艺条件的优化，实现了对氧化铜层厚度的精确控制。在保证铜膜或铜合金膜导电性满足要求的前提下，大幅降低其反射率，铜膜或铜合金膜在380‑780nm波长范围内的平均反射率降低至15％以下，具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及表面处理技术领域，具体涉及一种光亮铜膜或铜合金膜减反射工艺。

背景技术

铜和铜合金是导电性好、成本低的金属材料，是电路板、显示屏等器件上的最主要导电物质。现有技术中对铜及其合金进行黑氧化处理的主要目的之一，是在金属表面形成保护层，防止铜及其合金零部件在大气中受H₂S、SO₂等有害气体的侵蚀，同时赋予其光泽的黑色外观，获得美观的性能；主要目的之二，在多层电路板的内层铜的铜面上形成一个有着合适粗糙度的黑化层，增强铜面和半固化片之间的结合力。

在实际应用中，现有黑氧化技术处理的铜或铜合金厚度都在微米级别以上，对工艺的要求不甚苛刻。而在一些特殊的应用场合，需要通过喷镀、蒸镀或者真空溅射等方式，在基材上形成一层极薄的铜膜或铜合金膜，厚度仅有0.1-1μm。这些工艺形成的铜膜或铜合金膜通常具有较高的金属光泽可视性和强反射率，制成线路时容易被肉眼觉察，影响使用人视觉效果。因此如何有效降低亚微米厚度铜膜或铜合金膜的反射率，同时保证其仍然具有良好的导电性能，成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种光亮铜膜或铜合金膜减反射工艺，在保证铜膜或铜合金膜导电性满足要求的前提下，大幅降低其反射率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种光亮铜膜或铜合金膜减反射工艺，所述工艺为：对光亮的铜膜或铜合金膜进行黑氧化处理，黑氧化处理的温度为40-60℃，时间为0.5-5min，处理结束后烘干，降低了铜膜或铜合金膜的反射率；所述光亮的铜膜或铜合金膜的厚度为0.1-1μm，在380-780nm波长内的反射率＞30％。

本发明所述的铜膜或铜合金膜可以是无任何基底的金属膜，也可以是在任意导电或者绝缘基底上形成的金属膜，其表面可以是规则的，也可不规则。所述铜合金膜中，铜的含量占90wt％以上。

本发明提供的减反射工艺同样适用于铜膜或铜合金膜制成的图案或线路，只要所述铜膜或铜合金膜的厚度为0.1-1μm，均可采用本发明提供的工艺对其进行减反射处理。

根据本发明，所述铜膜或铜合金膜的厚度为0.1-1μm，例如可以是0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或1μm，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举。

根据本发明，所述黑氧化处理的温度为40-60℃，例如可以是40℃、43℃、45℃、48℃、50℃、53℃、55℃、58℃或60℃，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举。

根据本发明，所述黑氧化处理的时间为0.5-5min，优选为0.5-2min，例如可以是0.5min、1min、1.5min、1.5min、2min、2.5min、3min、3.5min、4min、4.5min或5min，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举。