[发明专利]一种太阳能电池的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910097057.0 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN109860336A 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 施成军 申请(专利权)人: 欧贝黎新能源科技股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10;C30B33/08;B23K26/382
代理公司: 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 代理人: 蒋路帆
地址: 226600 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 制绒 激光打孔 绝缘层 填充导电浆料 烧结 涂覆 制备 载流子 太阳能电池制备 电极制备 反向漏电 干燥固化 孔洞内壁 生产效率 转化效率 磷扩散 碎片率 刻蚀 掩膜 清洗 申请
【说明书】:

发明提供了一种太阳能电池的制备方法,包括第一次制绒、第二次制绒、磷扩散、掩膜、刻蚀清洗、PECVD镀膜、电极制备、烧结、激光打孔、涂覆绝缘层、填充导电浆料、干燥固化。本申请通过增加一次制绒工序,增加一个制绒面,进而增加PN结,可以提高载流子的收集,提高太阳能电池的转化效率;通过将激光打孔置于烧结之后,可以降低激光打孔时的碎片率,提高太阳能电池的生产效率;通过在填充导电浆料之前多增加一道在孔洞内壁涂覆绝缘层的工序,可以避免反向漏电,提高太阳能电池制备使用的安全性。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。

背景技术

随着温室效应的愈加明显,生态环境愈来愈受到人们的重视。太阳能行业作为清洁能源产业之一,现阶段正在飞速的发展,其中以硅电池的应用最为广泛,因而其效率的提升也一直受到人们的关注。

目前,传统硅片太阳能电池的做法是将一块硅半导体的一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂成N型半导体,在两种半导体的交界面处将形成单个特殊的薄层,即形成一个PN结,以实现太阳能的转换。

但硅片太阳能电池的工作过程主要是电子吸收光能形成自由电子,通过电极背传向负极形成电流或者被收集,传统的硅片太阳能电池中电池扩散层比较薄,并且形成一个单PN结,而太阳光是混合光谱,因此,传统方法制备出的太阳能电池会导致部分光不能充分利用,使部分太阳光直接穿透电池而被浪费,从而影响了太阳能的转换效率。

现如今还有金属穿孔卷绕太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面,以减少遮光面积来达到提高转换率的目的。

但制备金属穿孔卷绕太阳能电池时一般第一道工序或者在镀膜后烧结前就采用激光打孔,过早的引入激光打孔程序会引起全线碎片率的提升;打孔后未对孔洞内壁进行绝缘保护,从而在电性能上表现为反向漏电升高,不安全。

发明内容

为克服现有技术中存在的如何提高转化率、提高生产效率、保障生产使用安全的问题,本发明提供了一种太阳能电池的制备方法。

一种太阳能电池的制备方法,包括:

S1、第一次制绒:在硅体正表面进行第一次制绒,形成一个制绒面;

S2、第二次制绒:在硅体背表面进行第二次制绒,形成两个制绒面;

S3、磷扩散:使用三氯氧磷液态源作为扩散源,在绒面上扩散掺杂形成PN结;

S4、掩膜:在硅体背表面制备起刻蚀掩蔽作用的掩膜;

S5、刻蚀清洗:使用化学溶液进行刻蚀,去除硅体周边及背面多余的PN结,清洗有机掩膜,去除掩膜浆料,去除扩散后硅衬底表面形成的磷硅玻璃;

S6、PECVD镀膜:在硅体正表面先镀一层氧化铝,再镀一层氮化硅,形成减反射膜;

S7、电极制备:在硅体的表面制作上下电极;

S8、烧结:将硅体送入烧结炉烧结;

S9、激光打孔:利用激光器对硅体进行矩阵型钻孔,形成导电穿孔;

S10、填充导电浆料:采用丝网印刷或者喷墨打印或者压铸等方式将导电浆料或者导电胶灌入孔洞中;

S11、干燥固化:采用恒温烘箱,设定烘干温度为100-200℃,烘干时间10分钟。

在本发明一优选实施例中,当所述硅体为单晶硅时,采用激光束刻蚀进行第一次制绒,采用碱溶液对硅体进行各向异性腐蚀,以在硅体表面进行第二次制绒。

在本发明一优选实施例中,采用碱溶液对硅体进行第二次制绒时,所述碱溶液为NaOH。

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