[发明专利]一种太阳能电池的制备方法在审
| 申请号: | 201910097057.0 | 申请日: | 2019-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN109860336A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
| 发明(设计)人: | 施成军 | 申请(专利权)人: | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10;C30B33/08;B23K26/382 |
| 代理公司: | 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 | 代理人: | 蒋路帆 |
| 地址: | 226600 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 制绒 激光打孔 绝缘层 填充导电浆料 烧结 涂覆 制备 载流子 太阳能电池制备 电极制备 反向漏电 干燥固化 孔洞内壁 生产效率 转化效率 磷扩散 碎片率 刻蚀 掩膜 清洗 申请 | ||
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
S1、第一次制绒:在硅体正表面进行第一次制绒,形成一个制绒面;
S2、第二次制绒:在硅体背表面进行第二次制绒,形成两个制绒面;
S3、磷扩散:使用三氯氧磷液态源作为扩散源,在绒面上扩散掺杂形成PN结;
S4、掩膜:在硅体背表面制备起刻蚀掩蔽作用的掩膜;
S5、刻蚀清洗:使用化学溶液进行刻蚀,去除硅体周边及背面多余的PN结,清洗有机掩膜,去除掩膜浆料,去除扩散后硅衬底表面形成的磷硅玻璃;
S6、PECVD镀膜:在硅体正表面先镀一层氧化铝,再镀一层氮化硅,形成减反射膜;
S7、电极制备:在硅体的表面制作上下电极;
S8、烧结:将硅体送入烧结炉烧结;
S9、激光打孔:利用激光器对硅体进行矩阵型钻孔,形成导电穿孔;
S10、填充导电浆料:采用丝网印刷或者喷墨打印或者压铸等方式将导电浆料或者导电胶灌入孔洞中;
S11、干燥固化:采用恒温烘箱,设定烘干温度为100-200℃,烘干时间10分钟。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:当所述硅体为单晶硅时,采用激光束刻蚀进行第一次制绒,采用碱溶液对硅体进行各向异性腐蚀,以在硅体表面进行第二次制绒。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:采用碱溶液对硅体进行第二次制绒时,所述碱溶液为NaOH。
4.根据权利要求3所述的一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:采用碱溶液对硅体进行第二次制绒后,采用HF清除硅体表面油污,以及采用HCl清除硅体表面金属杂质。
5.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:对所述硅体分别依次进行第一次制绒和第二次制绒,以形成三个制绒面的步骤中,当所述硅体为多晶硅时,采用机械打磨进行第一次制绒,采用酸溶液对硅体进行各向异性腐蚀,以在硅体表面进行第二次制绒。
6.根据权利要求5所述的一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:采用酸溶液对硅体进行第二次制绒时,所述酸溶液为HNO3、HF的混合液,混合液中HNO3和HF的体积比为1:2.7。
7.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤S4制得的掩膜为直径0.01-10mm的圆形。
8.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤S9中采用激光器对硅体进行矩阵型钻孔,形成的导电穿孔为圆形、方形或者锥形等,激光打孔的直径在100-400μm,所述导电穿孔与掩膜取同一个中心。
9.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤S10填充导电浆料之前还有一个将孔洞内壁上涂覆绝缘层的步骤。
10.根据权利要求9所述的一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述绝缘层采用绝缘材料聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





