[发明专利]紧凑型高灵敏度MEMS微电容式传感器

权利要求书

1.一种MEMS微电容式传感器，包括由下往上依次设置的基底（10）、下隔离层（11）、下电极层（12）、上隔离层（13）、牺牲层（14）、振膜层（15）、上电极层（16）、绝缘层（17），下电极层（12）和上电极层（16）均包括至少一个电极阵列单元（22），电极阵列单元（22）包括多个电极单元，上电极层（16）的一个电极单元（19b）正对下电极层（12）的一个电极单元（19a），牺牲层（14）呈阵列分布，牺牲层（14）上具有为振膜层（15）的振动提供空间的空腔，所述空腔正对下电极层（12）的电极单元（19a）和上电极层（16）的电极单元（19b），其特征在于，下电极层（12）的电极单元（19a）和/或上电极层（16）的电极单元（19b）的边缘具有多个缺口（20）。

2.根据权利要求1所述的MEMS微电容式传感器，其特征在于，下电极层（12）和上电极层（16）相对的电极单元上的缺口（20）错开。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS微电容式传感器，其特征在于，缺口（20）均匀分布在所述电极单元的边缘。

4.根据权利要求1所述的MEMS微电容式传感器，其特征在于，缺口（20）的形状为圆形、或三角形、或矩形。

5.根据权利要求1所述的MEMS微电容式传感器，其特征在于，缺口（20）向内不超过10um。

6.根据权利要求1所述的MEMS微电容式传感器，其特征在于，上电极层（16）电极单元（19b）的面积小于下电极层（12）电极单元（19a）的面积。

7.根据权利要求1所述的MEMS微电容式传感器，其特征在于，所述电极单元为圆形，上电极层（16）圆形电极单元的直径比下电极层（12）圆形电极单元的直径小2-4um。

8.根据权利要求1所述的MEMS微电容式传感器，其特征在于，下电极层（12）电极单元（19a）之间的连接线（18）与上电极层（16）电极单元（19b）之间的连接线（21）错开。

9.根据权利要求1所述的MEMS微电容式传感器，其特征在于，电极阵列单元（22）的长度逐级递减，呈阶梯状。

10.根据权利要求1、8或9所述的MEMS微电容式传感器，其特征在于，下电极层（12）和上电极层（16）均包括四个电极阵列单元（22），下电极层（12）和上电极层（16）的四个电极阵列单元（22）均分别连接成惠斯通电桥。