[发明专利]封装基板制造工艺、封装基板以及芯片封装结构

说明书

本发明公开了封装基板制造工艺、封装基板以及芯片封装结构，其中，封装基板制造工艺通过将第一导电片、绝缘件以及第二导电片进行层叠压合形成母材，绝缘件上设置有用于容纳凸台的收容腔，通过对第一导电片、绝缘件和第二导电片进行加工形成第一引线、第二引线；分别与第一引线两端连接的导电凸块、第一接线凸起；以及分别与第二引线两端连接的第二接线凸起、第三接线凸起，并通过去除凸台以露出收容腔。这样，可以一次性成型具有封装线路和供芯片嵌入封装的收容腔的封装基板，工艺简单，成本低，可实大批量制作，生产效率高，而且采用该封装基板制造工艺制成的封装基板，芯片可以嵌入封装，使得产品整体厚度较为较薄，能够满足市场需求。

技术领域

本发明涉及芯片封装领域，尤其涉及一种封装基板制造工艺、一种封装基板以及一种采用该封装基板的芯片封装结构。

背景技术

现有集成电路封装基板均为平面结构，芯片封装时，芯片是直接贴附在封装基板的表面，随着产品往精细化和轻薄化发展，现有芯片的封装结构使得产品整体较厚，不能满足市场的需求。同时，当封装的芯片为光电芯片时，不同芯片之间的光电存在影响，且该安装方式容易导致光电芯片的光发生散射，不利于光能量的汇聚。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一公开一种封装基板制造工艺，用以解决现有的现有晶圆的封装结构使得产品整体较厚，不能满足市场需求的问题。本发明的目的之二公开一种封装基板。本发明的目的之三公开一种芯片封装结构，该芯片封装结构采用上述的封装基板。

本发明的目的之一采用如下技术方案实现：

一种封装基板制造工艺，用于制造供芯片封装的封装基板，所述封装基板制造工艺包括：

将一侧具有导电凸起的第一导电片和一侧具有收容腔的绝缘件以所述导电凸起与所述收容腔相对的方式进行层叠压合，并使所述导电凸起收容于所述收容腔中，将所述第二导电片层叠压合于所述绝缘件之远离所述第一导电片的一侧，制得母材；

在所述母材上之对应所述收容腔的位置制作第一穿孔，所述第一穿孔依次贯穿所述第二导电片和所述绝缘件，在所述第一穿孔中填充导电材料以形成用于连接所述导电凸起和所述第二导电片的第一引线，在所述母材上之对应所述收容腔的边缘制作第二穿孔，所述第二穿孔依次贯穿所述第二导电片和所述绝缘件，在所述第二穿孔中填充导电材料以形成用于连接所述第一导电片与所述第二导电片的第二引线；

对所述第二导电片进行加工以制作出环绕于所述第一引线一端外周的第一接线凸起和环绕所述第二引线一端外周的第二接线凸起，对所述第一导电片位于所述收容腔旁侧的部分进行加工以形成与所述第二引线另一端连接的第三接线凸起，对所述导电凸起进行加工以形成两个间隔设置于所述收容腔底部两侧的导电凸块，制得封装基板半成品，其中，所述导电凸块与所述第一引线之远离所述第一接线凸起的一端连接；

对所述封装基板半成品进行切割，制得封装基板。

作为一种改进方式，所述第一导电片由以下工序制作成型：

提供导电基片，在所述导电基片的侧面贴设第一感光膜，对应芯片封装的位置对所述第一感光膜进行曝光显影以形成第一电镀避让孔，透过所述第一电镀避让孔在所述导电基片上电镀第一铜层；

电镀第一铜层之后，在所述第一感光膜之远离所述第二导电片的一侧覆盖第二感光膜，对应所述第一铜层的位置对所述第二感光膜进行曝光显影以形成两个间隔设置的第二电镀避让孔，透过所述第二电镀避让孔在所述第一铜层上电镀镍层，电镀所述镍层之后，在所述镍层之远离所述第一铜层的一侧电镀第二铜层，电镀第二铜层之后除去所述第一感光膜和所述第二感光膜，制得所述第一导电片；

其中，所述第一铜层、所述镍层以及所述第二铜层形成所述导电凸起。