[发明专利]封装基板制造工艺、封装基板以及芯片封装结构

权利要求书

1.一种封装基板制造工艺，用于制造供芯片封装的封装基板，其特征在于，所述封装基板制造工艺包括：

将一侧具有导电凸起的第一导电片和一侧具有收容腔的绝缘件以所述导电凸起与所述收容腔相对的方式进行层叠压合，并使所述导电凸起收容于所述收容腔中，将第二导电片层叠压合于所述绝缘件之远离所述第一导电片的一侧，制得母材；

在所述母材上之对应所述收容腔的位置制作第一穿孔，所述第一穿孔依次贯穿所述第二导电片和所述绝缘件，在所述第一穿孔中填充导电材料以形成用于连接所述导电凸起和所述第二导电片的第一引线，在所述母材上之对应所述收容腔的边缘制作第二穿孔，所述第二穿孔依次贯穿所述第二导电片和所述绝缘件，在所述第二穿孔中填充导电材料以形成用于连接所述第一导电片与所述第二导电片的第二引线；

对所述第二导电片进行加工以制作出环绕于所述第一引线一端外周的第一接线凸起和环绕所述第二引线一端外周的第二接线凸起，对所述第一导电片位于所述收容腔旁侧的部分进行加工以形成与所述第二引线另一端连接的第三接线凸起，对所述导电凸起进行加工以形成两个间隔设置于所述收容腔底部两侧的导电凸块，制得封装基板半成品，其中，所述导电凸块与所述第一引线之远离所述第一接线凸起的一端连接；

对所述封装基板半成品进行切割，制得封装基板；

其中，所述第一导电片和所述绝缘件的层叠压合方式为：将所述第一导电片和具有通孔的第一绝缘片以所述导电凸起与所述通孔相对的方式进行层叠压合，并使所述导电凸起收容于所述通孔中；将第二绝缘片层叠压合于所述第一绝缘片之远离所述第一导电片的一侧；

其中，所述第一绝缘片和所述第二绝缘片构成所述绝缘件，所述通孔和所述第二绝缘片围合形成所述收容腔。

2.根据权利要求1所述的封装基板制造工艺，其特征在于，所述第一导电片由以下工序制作成型：

提供导电基片，在所述导电基片的侧面贴设第一感光膜，对应芯片封装的位置对所述第一感光膜进行曝光显影以形成第一电镀避让孔，透过所述第一电镀避让孔在所述导电基片上电镀第一铜层；

电镀第一铜层之后，在所述第一感光膜之远离所述第二导电片的一侧覆盖第二感光膜，对应所述第一铜层的位置对所述第二感光膜进行曝光显影以形成两个间隔设置的第二电镀避让孔，透过所述第二电镀避让孔在所述第一铜层上电镀镍层，电镀所述镍层之后，在所述镍层之远离所述第一铜层的一侧电镀第二铜层，电镀第二铜层之后除去所述第一感光膜和所述第二感光膜，制得所述第一导电片；

其中，所述第一铜层、所述镍层以及所述第二铜层形成所述导电凸起。

3.根据权利要求2所述的封装基板制造工艺，其特征在于，在电镀所述第一铜层之后和覆盖所述第二感光膜之前对所述第一铜层进行研磨以使所述第一铜层之远离所述导电基片一侧的表面与所述第一感光膜之远离所述导电基片一侧的表面平齐。

4.根据权利要求2所述的封装基板制造工艺，其特征在于，所述第三接线凸起和所述导电凸块的制作方式为：在所述第一导电片之远离所述绝缘件的一侧覆盖第三感光膜，根据所述第三接线凸起的预设位置对所述第三感光膜进行曝光形成第一干膜，除去所述第三感光膜未曝光的部分以使第一导电片具有露出的外露部分，对所述外露部分进行蚀刻，完成蚀刻之后除去所述第一干膜和所述镍层，制得所述第三接线凸起和所述导电凸块；且/或，

所述第一接线凸起和所述第二接线凸起的制作方式为：在所述第二导电片之远离所述第一导电片的一侧覆盖第四感光膜，根据所述第一接线凸起的预设位置和所述第二接线凸起的预设位置对所述第四感光膜进行曝光形成第二干膜，除去所述第二感光膜未曝光的部分以使第二导电片具有露出的外露部分，对所述外露部分进行蚀刻后除去所述第二干膜以形成所述第一接线凸起和所述第二接线凸起。

5.根据权利要求2所述的封装基板制造工艺，其特征在于，

所述镍层的厚度为2-6um；且/或，

所述铜层的厚度为10-30um；且/或，

所述第二导电片的厚度为12-35um。