[发明专利]一种非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管在审
申请号: | 201910071910.1 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN109841689A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 王伟;颜宇;魏凤华;丰媛媛 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/24;H01L29/10 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘渊 |
地址: | 210046 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 梯度掺杂 黑磷 场效应管 掺杂 沟道 非对称 漏极 源极 漏致势垒降低效应 热载流子效应 短沟道效应 对称梯度 高频特性 工作电压 关态电流 开关特性 驱动电流 数字电路 阈值电压 原子层 摆幅 本征 亚阈 栅压 平行 引入 应用 | ||
1.一种非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管,包括与黑磷原子层平行的源极(VS)、漏极(VD)以及沟道,其特征在于,所述沟道从源极(VS)至漏极(VD)依次包括第一N型重掺杂区(3)、第一梯度掺杂结构(5)、峰值掺杂结构(4)、本征黑磷(6)、第二梯度掺杂结构(7)和第二N型重掺杂区(8)。
2.根据权利要求1所述的非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管,其特征在于,所述第一N型重掺杂区(3)和第一梯度掺杂结构(5)组成源扩展区,第二梯度掺杂结构(7)和第二N型重掺杂区(8)组成漏扩展区,源扩展区和漏扩展区长度相等,均为30nm。
3.根据权利要求1所述的非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管,其特征在于,在与所述沟道长度方向垂直的黑磷表面设有两个栅氧化层(2),两个栅氧化层(2)位于同一条直线上并且相互位于对方的正投影内。
4.根据权利要求3所述的非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管,其特征在于,所述栅氧化层(2)均为二氧化铪材料,其厚度均为2nm,介电常数均为25。
5.根据权利要求3所述的非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管,其特征在于,在每个栅氧化层(2)外表面均制作一层栅极,从而形成双栅极结构,每个栅极的长度均为15.3nm。
6.根据权利要求5所述的非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管,其特征在于,所述每个栅极均采用功函数为4.4的锡作为栅极材料。
7.根据权利要求1所述的非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管,其特征在于,所述峰值掺杂结构(4)的长度为5nm,其掺杂浓度为1.3nm-1;第一梯度掺杂结构(5)和第二梯度掺杂结构(7)的长度均为15nm,第一N型重掺杂区(3)和第二N型重掺杂区(8)的掺杂浓度为1.0nm-1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910071910.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种薄膜晶体管及其制造方法
- 下一篇:低电容二端闸流体构造及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类