[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏在审
申请号: | 201910062179.6 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN109585462A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 刘英伟;梁爽;梁志伟;狄沐昕;王珂;曹占锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电镀电极 衬底基板 阵列基板 通孔 薄膜晶体管TFT 导电材料 器件层 电极 绑定 柔性显示面板 拼接屏 背离 柔性电路板 柔性基板 显示设备 电连接 无边框 窄边框 填充 制作 | ||
本发明涉及显示设备技术领域,公开了一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏,该阵列基板包括柔性衬底基板、形成于柔性衬底基板一侧的多个电镀电极以及薄膜晶体管TFT器件层,柔性衬底基板上形成有与电镀电极一一对应的通孔,通孔内填充有导电材料,柔性衬底基板背离多个电镀电极的一侧形成有与通孔一一对应的绑定电极,每个绑定电极通过通孔内的导电材料与电镀电极电连接。该阵列基板通过电镀电极、导电材料以及绑定电极的设置直接将薄膜晶体管TFT器件层引到柔性基板背离薄膜晶体管TFT器件层的一侧与柔性电路板连接,进而实现极窄边框或者无边框的设计。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏。
背景技术
目前,柔性显示面板的阵列基板包括显示区以及边框区,如图1所示,边框区设置有与显示区的栅极线01以及数据线02一一对应电连接的扇出走线Fanout以及绑定电极,绑定电极与柔性电路板03电连接实现扫描信号以及数据信号的传输。而制作大面积柔性拼接屏需要窄边框的柔性显示面板拼接,边框区的扇出走线Fanout以及绑定电极不利于大面积拼接屏的制作。
基于此,如何实现更窄边框或者无边框的柔性显示产品,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏,上述阵列基板可以实现极窄边框或者无边框的设计,进而可以实现大面积的拼接屏的制作。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种阵列基板,包括柔性衬底基板、形成于所述柔性衬底基板一侧的多个电镀电极以及薄膜晶体管TFT器件层,所述柔性衬底基板上形成有与所述电镀电极一一对应的通孔,所述通孔内填充有导电材料,所述柔性衬底基板背离所述多个电镀电极的一侧形成有与所述通孔一一对应的绑定电极,每个所述绑定电极通过其对应的通孔内的导电材料与其对应的所述电镀电极电连接。
上述阵列基板中,柔性衬底基板上形成有多个电镀电极以及用于传输显示信号的薄膜晶体管TFT器件层,薄膜晶体管TFT器件层与电镀电极电连接,柔性衬底基板与每个电镀电极相对的区域形成有通孔,通孔内填充有导电材料,柔性衬底基板背离多个电镀电极的一侧形成有与所述通孔一一对应的绑定电极,绑定电极通过其对应的通孔内的导电材料与其对应的电镀电极电连接,上述结构可以通过电镀电极、导电材料以及绑定电极的设置直接将薄膜晶体管TFT器件层引到柔性基板背离薄膜晶体管TFT器件层的一侧与外部电路的柔性电路板连接,实现薄膜晶体管TFT器件层对显示信号的传输,由于绑定电极直接设置于柔性衬底基板背离薄膜晶体管TFT器件层的一侧,并且省去了阵列基板上扇出走线的设置,从而可以实现极窄边框或者无边框的设计,进而可以实现大面积的拼接屏的制作。
在一种可能的实施方式中,所述柔性衬底基板与所述多个电镀电极之间形成有缓冲层,所述柔性衬底基板以及所述缓冲层与所述电镀电极相对的区域形成有所述通孔,所述通孔内形成有所述导电材料。
在一种可能的实施方式中,所述绑定电极的材料为铟锡氧化物。
在一种可能的实施方式中,所述薄膜晶体管TFT器件层包括形成于所述多个电镀电极背离所述柔性衬底基板一侧的多条信号线,所述信号线与所述电镀电极一一对应电连接。
在一种可能的实施方式中,所述信号线包括相互绝缘的多条栅极线以及多条数据线。
在一种可能的实施方式中,所述薄膜晶体管TFT器件层背离所述多个电镀电极的一侧形成有黑矩阵,所述黑矩阵位于所述柔性衬底基板上的投影覆盖所述通孔位于所述柔性衬底基板上的投影。
本发明还提供一种制作上述技术方案中提供的任意一种阵列基板的方法,包括:
形成柔性衬底基板;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的