[发明专利]一种微波基片自动检测方法和系统

说明书

本发明提出一种微波基片自动检测方法，所述方法包括以下步骤：通过图像采集获取待检测基片的样本图像；对所述样本图像进行预处理，获取所述样本图像的中心点位置；将所述中心点位置转换成用于控制机械臂移动的机械臂坐标，控制机械臂将所述待检测基片置于谐振环上；通过谐振环在覆盖待检测基片前后S散射矩阵的S参数的四个相位的变化计算所述待检测基片的损耗角正切和相对介电常数；根据所述损耗角正切和相对介电常数判断所述待检测基片是否合格。该检测方法能够快速，高效，精确的实现待检测基片的自动分拣，同时能够满足产线上对基片参数质量的保障，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及自动检测领域，具体的涉及到一种微波基片自动检测方法和系统。

背景技术

随着电子设备工作频段的不断提高,高速电路的性能提高了对微波陶瓷介质基片参数的要求。特别是在大批量生产时,板材批次之间的参数差异会影响电路性能,甚至会导致设备的功能失效,因此确保各批次基材的材料参数一致,具有十分重要的工程意义。对于微波基片参数的测量，现有技术采用的是传输线法，将待测样本置入系统适当位置，作为双端口网络，再测试此网络的S参数，进而推导出待测样本的参数。对于传输线法，由于是将待测样品加载于传输线中，再进行测量，这样势必要先对样品进行破坏处理，且当样品厚度大于半个波导波长时，会导致测量不确定度增大，还会出现多值性问题，且该方法多应用于实验室研究，不能实现基片参数的大批量自动测量和对基片参数合格与否的自动分拣。

发明内容

基于上述问题，本发明的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一。提出一种微波基片自动检测方法和系统，能够实现快速，高效，精确的测量微波基片参数及实现微波基片的分拣。为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种微波基片自动检测方法，所述方法包括以下步骤，通过图像采集获取待检测基片的样本图像；对所述样本图像进行预处理，获取所述样本图像的中心点位置；将所述中心点位置转换成用于控制机械臂移动的机械臂坐标，控制机械臂将所述待检测基片置于谐振环上；通过谐振环在覆盖待检测基片前后S散射矩阵的S参数的四个相位的变化计算所述待检测基片的损耗角正切和相对介电常数；根据所述损耗角正切和相对介电常数判断所述待检测基片是否合格。

优选的，所述通过图像采集获取待检测基片的样本图像的步骤包括：

通过传送带将所述待检测基片运送至指定区域，对所述待检测基片进行拍照，获取待检测基片的样本图像。

优选的，所述对所述样本图像进行预处理，获取所述样本图像的中心点位置的步骤包括：

对所述样本图像通过高斯滤波器进行去噪；

对去噪后的样本图像进行灰度处理；

对处理后的所述样本图像进行二值化，得到二值图像；

利用canny边缘检测方法对二值图像进行边缘检测处理后，定位出待检测基片的中心点位置。

优选的，所述谐振环包括微带折叠谐振环。

优选的，所述微带折叠谐振环的谐振频率为1575MHz。

优选的，所述微带折叠谐振环包括两段微带传输线和一个H型环。

优选的，所述通过谐振环在覆盖待检测基片前后S散射矩阵的S参数的四个相位的变化计算所述待检测基片的损耗角正切和相对介电常数的步骤包括：

计算所述谐振环的谐振频率；

根据所述谐振环在覆盖待检测基片前后S散射矩阵的S参数的四个相位的变化，计算特征相位，根据特征相位计算所述待检测基片的损耗角正切；

根据其中S21相位的变化计算待检测基片的相对介电常数。

优选的，所述根据所述损耗角正切和相对介电常数判断所述待检测基片是否合格的布步骤包括：