[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

全局参考节点；

分配电路；

多个操作单元，其每一个均包括局部调节电路、局部参考节点和操作电路，并且每个操作单元能够操作成根据在其局部参考节点处提供的参考信号执行操作；以及

参考调节电路，其包括所述局部调节电路，并且被连接成在所述全局参考节点处提供参考信号以及在所述局部参考节点处提供相应的参考信号，所述参考调节电路生成控制信号，

其中，所述参考调节电路被配置成基于所述控制信号调节在所述全局参考节点处提供的参考信号的电压电平，

其中，全局去耦电容器被连接至所述全局参考节点，

其中，对于所述操作单元中的每一个：

所述局部调节电路具有被连接以从所述参考调节电路接收控制信号的输入端子，并且被配置成基于所接收的控制信号来调节在所述局部参考节点处的参考信号的电压电平；

局部去耦电容器被连接至所述局部参考节点，

所述局部调节电路的输入端子具有高输入阻抗，使得通过所述输入端子从所述参考调节电路汲取相对低的电流量；以及

所述局部调节电路被配置成从电压源汲取相对高的电流量，并且在所述局部参考节点处将该电流提供至相关的操作电路，

并且其中：

所述分配电路包括独立的信号路径，所述独立的信号路径将所述操作单元中的每一个的局部参考节点分别连接至全局参考节点，以使得在所述局部参考节点处由所述操作单元的操作电路汲取的电流能够从所述全局参考节点汲取；

每个所述独立的信号路径包括沿其连接的滤波电路；以及

对于每个操作单元，所述局部调节电路被配置成从电压源汲取所述相对高的电流量，并且在所述局部参考节点处将该电流提供至相关的操作电路，使得通过所述操作电路从所述局部参考节点汲取的电流的一部分通过所述局部调节电路从所述电压源而不是从所述全局参考节点提供。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，对于每个操作单元：

所述局部调节电路包括被配置为源极跟随晶体管或发射极跟随晶体管的晶体管；

所述局部调节电路的被连接以接收所述控制信号的输入端子是源极跟随晶体管或发射极跟随晶体管的栅极端子或基极端子；以及

所述局部调节电路被配置成从源极跟随晶体管或发射极跟随晶体管的源极端子或发射极端子将所述相对高的电流量提供至所述操作电路。

3.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路，其中：

每个操作单元包括第一所述局部调节电路至第N所述局部调节电路以及第一所述局部参考节点至第N所述局部参考节点，其中，N是整数并且N≥2；

每个操作单元包括开关电路；

对于每个操作单元，所述操作电路能够操作成分别根据相应的参考信号执行一系列的第一操作至第N操作，N个操作中的每个操作具有第一噪声容许级别至第N噪声容许级别中的相应的噪声容许级别，该N个噪声容许级别彼此不同；

所述参考调节电路包括所述操作单元中的每一个的N个局部调节电路，并且被连接成对于每个操作单元在其N个局部参考节点处提供相应的单独的第一参考信号至第N参考信号；

所述半导体集成电路包括控制电路；

X是在从1至N的范围内的整数变量；

所述控制电路被配置成对于所述操作单元在执行N个操作时控制其开关电路以将其操作电路选择性地连接至其局部参考节点，使得其操作电路将在其第X局部参考节点处提供的第X参考信号用作其第X操作的参考信号；以及

每个噪声容许级别是所采用的参考信号中的相关的操作能够容许的噪声级别。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，包括：

第一所述全局参考节点至第N所述全局参考节点；以及

第一所述分配电路至第N所述分配电路，

其中：

对于每个X的值，所述操作单元的第X局部参考节点经由第X分配电路连接至第X全局参考节点。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中：所述全局去耦电容器被连接至每个全局参考节点。