[发明专利]用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途

权利要求书

1.砷化镓衬底，其呈现至少一个表面，所述表面在采用光学表面分析仪的椭圆偏振侧向衬底映射中具有侧向分辨背景校正测量信号偏差，所述偏差被归一化至相移信号的衬底平均值的1％的分布百分位数大于-0.0065。

2.根据权利要求1所述的砷化镓衬底，其中直径为至少100mm。

3.根据权利要求1所述的砷化镓衬底，其是经抛光和经表面精整的，直径为至少150mm和厚度不大于600μm或各自厚度不小于约800μm，其中表面处理包括使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，并且马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。

4.根据权利要求1所述的砷化镓衬底，其中至少一个表面在制备之后6个月内，在采用光学表面分析仪的椭圆偏振侧向衬底映射中的侧向分辨背景校正测量信号的变化显示未劣化。

5.用于生产选自高频放大器、开关以及发光组件的组件结构的方法，包括如下步骤：

提供如权利要求1中所定义的砷化镓衬底，

通过分别选自Ga-In-As-P-Al-N的可变元素的外延沉积的混合晶堆进行外延晶体生长，由此制备组件结构。

6.根据权利要求5所述的用于生产选自高频放大器、开关以及发光组件的组件结构的方法，其中在储存提供的所述砷化镓衬底之后进行外延晶体生长。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，在提供所述砷化镓衬底之后和在外延晶体生长之前没有进行另外的表面的预处理，以制备组件结构。