[发明专利]一种基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201910041310.0 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109734122A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 徐公杰;李应;管舒婷;蔡斌 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C01G21/00 | 分类号： | C01G21/00 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米线 钙钛矿 制备 制备钙钛矿 离子交换 卤素离子 晶体的 离子交换反应 分散性分布 可见光波段 卤素离子源 浸入 器件制备 荧光发光 原料用量 原位表征 离子源 卤素源 操控 基板 交换 覆盖 | ||
1.一种基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：制备容易获得的钙钛矿纳米线晶体；
步骤二：将所述钙钛矿纳米线晶体浸入卤素离子源的溶液中；
步骤三：在一定的温度下反应一端时间，以置换得到含有其它卤素成分的钙钛矿纳米线晶体。
2.根据权利要求1所述的基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，通过液相法、气相法或混合法制备得到所述钙钛矿纳米线晶体。
3.根据权利要求1所述的基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，所述温度为10-50℃。
4.根据权利要求1所述的基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，所述时间为1-15天。
5.根据权利要求1所述的基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，所述含有卤素成分的钙钛矿纳米线晶体的分子式为ABX3。
6.根据权利要求5所述的基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，所述A为FA，MA或Cs；所述B为Pb2+与Sn2+，X为卤素离子。
7.根据权利要求1所述的基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，所述FA为(CH(NH)2)2+，MA为CH3NH2+和Cs+；所述含有卤素成分的钙钛矿纳米线晶体为：CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、CsPbClxBr3-x、CsPbBrxI3-x、MAPbCl3、MAPbBr3、MAPbI3、MAPbClxBr3-x、MAPbBrxI3-x、CsSnCl3、CsSnBr3、CsSnI3、CsSnClxBr3-x、CsSnBrxI3-x、FAPbCl3、FAPbBr3、FAPbI3、FAClxBr3-x或者FABrxI3-x。
8.据权利要求1所述的基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，所述卤素离子源为在表面活性剂助溶下，溶解在溶剂中，溶解温度为90-200℃；
所述表面活性剂为油酸、油胺或者正三辛基磷。
9.据权利要求1所述的基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，所述卤素离子源为PbCl2、PbBr2、PbI2、OAmCl、OAmBr、OAmI、MeMgCl、MeMgBr或者MeMgI。
10.据权利要求1所述的基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，其特征在于，由离子交换得到的所述含有卤素成分的钙钛矿纳米线晶体，不会改变原所述钙钛矿纳米线晶体的尺寸和形貌。
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