[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括：半导体衬底上的层间绝缘层、在层间绝缘层中的通路塞和通路塞上的布线线路，其中通路塞和布线线路彼此耦接并形成阶梯结构。半导体器件包括在层间绝缘层和通路塞之间的第一气隙区、以及在层间绝缘层和布线线路之间的第二气隙区。第一气隙区和第二气隙区彼此不竖直重叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0006165的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。

技术领域

本公开的示例实施例涉及一种半导体器件。

背景技术

使用多级布线结构来设计高集成度、高密度、低功耗和高速操作的半导体器件。为了实现半导体器件的高速操作，由于低电阻率和低成本，铜用作用于形成布线线路的材料。由于难以蚀刻铜，因此通过镶嵌工艺来形成铜布线线路。

可以通过半导体器件的高集成度来减小布线线路之间的距离。因此，由于布线线路之间的距离窄，因此布线线路之间的干扰会增加，使得随着布线线路之间的距离减小，信号传输速度会降低。

发明内容

根据本发明构思的示例实施例，半导体器件可以包括：衬底上的层间绝缘层；在层间绝缘层中的通路塞，通路塞具有相对的第一通路侧壁和第二通路侧壁；在层间绝缘层中的第一布线线路，第一布线线路与通路塞耦接，并且具有与第一通路侧壁相邻的第一布线侧壁、以及与第一布线侧壁相对且与第二通路侧壁相邻的第二布线侧壁；覆盖第一通路侧壁的第一通路绝缘衬层；覆盖第一布线侧壁的第一布线绝缘衬层；在第一通路绝缘衬层和层间绝缘层之间的第一通路气隙区，第一通路气隙区将第一通路绝缘衬层暴露于层间绝缘层；以及，在第一布线绝缘衬层和层间绝缘层之间的第一布线气隙区，第一布线气隙区将第一布线绝缘衬层暴露于层间绝缘层。第一通路侧壁和第二布线侧壁可以彼此未对准。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件可以包括：在半导体衬底上的层间绝缘层；在层间绝缘层中的通路塞和通路塞上的布线线路，通路塞和布线线路彼此耦接且形成阶梯结构；覆盖通路塞的侧壁和布线线路的侧壁的第一绝缘层；覆盖第一绝缘层中覆盖通路塞的侧壁的部分的侧壁的第二绝缘层，第二绝缘层包括与第一绝缘层不同的材料；在层间绝缘层和布线线路之间的气隙层，气隙层将第一绝缘层暴露与层间绝缘层；以及在层间绝缘层中与气隙区和第二绝缘层相邻的部分中的受损区。受损区中的碳浓度可以低于层间绝缘层中的碳浓度，并且高于第二绝缘层中的碳浓度。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件可以包括：在半导体衬底上的层间绝缘层；在层间绝缘层中的通路塞和在通路塞上的布线线路，通路塞和布线线路彼此耦接且形成阶梯结构；在层间绝缘层和通路塞之间的第一气隙区；以及在层间绝缘层和布线线路之间的第二气隙区。第一气隙区和第二气隙区可以不彼此竖直重叠。

附图说明

图1是根据示例实施例的半导体器件的截面图。

图2是根据示例实施例的半导体器件的一部分的透视图。

图3至图9是示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的阶段的截面图。

图10是根据示例实施例的半导体器件的截面图。

图11是根据示例实施例的半导体器件的截面图。

图12是根据示例实施例的半导体器件的截面图。图13是示出了根据示例实施例的制造图12的半导体器件的方法的截面图。

图14是根据示例实施例的半导体器件的截面图。

图15是根据示例实施例的半导体器件的截面图。

图16是示出了根据示例实施例的制造图15的半导体器件的方法的截面图。

图17是根据示例实施例的半导体器件的截面图。