[发明专利]一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法有效
申请号: | 201910036356.3 | 申请日: | 2019-01-15 |
公开(公告)号: | CN109755162B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 林万;王俊伟;董殿正;陈鹏名;张强;王光兴;许文鹏;王海旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/48;H01L33/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 装置 micro led 晶粒 方法 | ||
1.一种转移装置,其特征在于,包括承载板、第一控制器以及设置在所述承载板第一表面上的多个转移头;
所述转移头包括:螺线管,所述螺线管的两端通过导线与所述第一控制器电连接,所述螺线管用于在通电时产生磁场;所述多个转移头呈矩阵排列;
所述第一控制器与每个所述转移头中的所述螺线管电连接,用于控制每个所述转移头中的所述螺线管通电或断电;
所述转移头还包括:设置在所述螺线管内的磁芯和与所述承载板固定连接的放置槽,所述放置槽的槽口朝向所述承载板,所述螺线管和所述磁芯放置在所述放置槽内;
所述转移装置还包括多个第二控制器,每个所述第二控制器与至少一排所述转移头中的所述螺线管电连接;所述多个第二控制器均与所述第一控制器电连接;所述第一控制器用于控制所述多个第二控制器工作与否,以在所述第二控制器工作时,通过所述第二控制器控制与该所述第二控制器电连接的所述至少一排所述转移头中的所述螺线管通电或断电;
所述转移装置还包括设置在所述承载板第一表面上的对位器,所述对位器用于与对位标记图案进行对位;
所述转移装置还包括设置在所述承载板第一表面上的距离传感器,所述距离传感器与所述第一控制器电连接。
2.一种利用权利要求1所述的转移装置转移Micro-LED晶粒的转移方法,其特征在于,包括:
将转移装置移动至放置有多个Micro-LED晶粒的供体基板的上方,且使所述转移装置中一个转移头与一个所述Micro-LED晶粒对齐;
通过第一控制器控制与所述Micro-LED晶粒对齐的所述转移头中的螺线管通电,利用所述螺线管产生的磁场吸附所述Micro-LED晶粒,移动所述转移装置以使Micro-LED晶粒与所述供体基板分离;
将吸附有多个所述Micro-LED晶粒的转移装置移动至电路基板的上方,所述电路基板包括多个凹槽,每个所述凹槽内设置有第一电极,以使一个所述Micro-LED晶粒与一个所述凹槽对齐;
通过所述第一控制器控制所述螺线管断电,以使所述转移装置与所述Micro LED晶粒分离,且使所述Micro-LED晶粒落入与其对应的凹槽内,以将所述Micro-LED晶粒转移到所述电路基板上;
对形成有所述Micro LED晶粒的所述电路基板进行消磁;
其中,
在所述转移装置包括对位器,所述供体基板包括第一对位标记图案的情况下,所述使所述转移装置中一个转移头与一个所述Micro-LED晶粒对齐,包括:利用所述对位器与所述第一对位标记图案进行对位,以使转移装置中的一个转移头与一个Micro-LED晶粒对齐;和/或,
在所述转移装置包括对位器,所述电路基板包括第二对位标记图案的情况下,所述使一个所述Micro-LED晶粒与一个所述凹槽对齐,包括:利用所述对位器与所述第二对位标记图案进行对位,以使一个所述Micro-LED晶粒与一个所述凹槽对齐;
所述转移装置还包括设置在所述承载板第一表面上的距离传感器,所述距离传感器与所述第一控制器电连接;
所述通过第一控制器控制与所述Micro-LED晶粒对齐的所述转移头中的螺线管通电,包括:将所述转移装置向靠近所述供体基板的方向移动,在所述距离传感器检测到所述Micro-LED晶粒与所述转移头之间的距离小于第一预设距离时,通过所述第一控制器控制与所述Micro-LED晶粒对齐的所述转移头中的所述螺线管通电;和/或,
所述通过所述第一控制器控制所述螺线管断电,包括:将所述转移装置向靠近所述电路基板的方向移动,在所述距离传感器检测到所述电路基板与所述转移头之间的距离小于第二预设距离时,通过所述第一控制器控制所述螺线管断电。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造