[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910031922.1 | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN109713017B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 程博;张顺;周洋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置,用以避免引线被腐蚀,提高封装可靠性。本申请实施例提供的一种显示基板,所述显示基板包括:衬底基板,在所述衬底基板之上依次层叠设置的遮光层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、发光器件;其中,所述第二绝缘层具有第一凹槽以及第二凹槽,所述第二绝缘层在所述第一凹槽和第二凹槽之间的部分构成挡墙结构;相对于所述第二凹槽,所述第一凹槽位于所述挡墙结构靠近所述发光器件的一侧;所述第一金属层包括:在所述第一凹槽远离所述挡墙结构一侧的信号线,以及在所述第二凹槽远离所述挡墙结构一侧的连接端子;所述遮光层包括连接引线,所述信号线与所述连接端子通过所述连接引线电连接。
技术领域
本申请涉及通信技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)显示产品因其广色域、轻薄、高对比及自发光等优点,已成为未来显示的趋势。AMOLED的一般结构为阵列(Array)背板电路,OLED器件发光层、阴极以及封装层。Array背板电路设计中,边框区的电源线(VDD引线)和低电位电源线(VSS引线),一般与薄膜晶体管的源极和漏极同层,以VDD引线为例,如图1所示,显示面板包括:衬底基板1、缓冲层2、栅绝缘层3、层间绝缘层4、VDD引线5、平坦化层6、像素定义层7、隔垫物层8、无机封装层9,现有技术由于封装要求,需要设计挡墙10(Dam),Dam10两侧具有凹槽区11,VDD引线5在凹槽区11拐弯,Dam10两侧没有保护VDD引线5的绝缘层,使得VDD引线5边缘12更容易被腐蚀,成为水氧通道。并且在VDD引线5边缘12,如图2所示,VDD引线5边缘被腐蚀,无机封装层9发生断裂(crack)。这样,无机封装层遭到破坏,水汽氧气则会沿着通道进入显示区,水氧腐蚀器件形成小黑点(Growing darkspot,GDS),随着时间的延长慢慢变大,器件性能变差,并且造成显示异常。综上,现有技术显示产品制备过程中容易出现引线被腐蚀,导致封装失败,影响发光器件性能,影响显示效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,用以避免形成水氧通道导致封装失败,提高封装可靠性。
本申请实施例提供的一种显示基板,所述显示基板包括:衬底基板,在所述衬底基板之上依次层叠设置的遮光层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、发光器件;其中,所述第二绝缘层具有第一凹槽以及第二凹槽,所述第二绝缘层在所述第一凹槽和第二凹槽之间的部分构成挡墙结构;相对于所述第二凹槽,所述第一凹槽位于所述挡墙结构靠近所述发光器件的一侧;所述第一金属层包括:在所述第一凹槽远离所述挡墙结构一侧的信号线,以及在所述第二凹槽远离所述挡墙结构一侧的连接端子;所述遮光层包括连接引线,所述信号线与所述连接端子通过所述连接引线电连接。
本申请实施例提供的显示基板,在所述第二凹槽远离所述挡墙结构一侧的连接端子与在所述第一凹槽远离所述挡墙结构一侧的信号线通过遮光层的连接引线电连接,从而可以在保证信号线与连接端子连接的情况下,避免第一金属层在凹槽区被腐蚀,阻止水氧通道形成,进而可以避免后续封装失败,提高封装可靠性,还可以减小出现GDS的可能,提升显示效果。
可选地,所述第一金属层在衬底基板上的正投影与第一凹槽、第二凹槽和挡墙结构在衬底基板上的正投影互不重叠。
即第一金属层在第一凹槽的区域、第二凹槽的区域和挡墙结构的区域无图案,第一金属层在第一凹槽区、第二凹槽区无图案从而使得第一金属层不存在没有第二绝缘层保护的区域,从而可以在保证信号线与连接端子连接的情况下,避免第一金属层在凹槽区被腐蚀,阻止水氧通道形成,进而可以避免后续封装失败,提高封装可靠性,还可以减小GDS的发生率,提升显示效果。并且,在第一金属层在第一凹槽的区域、第二凹槽的区域和挡墙结构的区域,信号线与连接端子在通过连接引线,连接引线之上设置有第一绝缘层,第一绝缘层可以使得连接引线不会被腐蚀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的