[其他]基板处理装置有效
申请号: | 201890000816.6 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN211350584U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 赵康一 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;H01L21/677 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,作为对被处理基板进行药液涂覆工艺的基板处理装置,其特征在于,包括:
基板支撑部,其支撑基板;
药液涂覆单元,其将药液涂覆于基板;
预干燥单元,其在基板支撑于基板支撑部的状态下,对药液进行预干燥;预干燥单元以防止药液从基板流出来的状态预干燥药液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
预干燥单元在真空状态下对药液进行预干燥。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,预干燥单元包括:
干燥室部件,其配置为覆盖基板;
真空压力形成部,其用于向干燥室部件的内部空间施加真空压力。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
固定设置所述药液涂覆单元,
基板相对于所述药液涂覆单元进行移动的同时,在基板上涂覆药液。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述干燥室部件设置为下部开放并沿着上下方向可移动,当基板配置于对基板进行预干燥的预干燥位置时,所述干燥室下降的同时覆盖所述基板。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板支撑部相对于所述药液涂覆单元可移动地设置。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
在预干燥单元对药液进行预干燥的过程中,基板支撑部的温度保持均匀。
8.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
预干燥单元在-50kpa至-90kpa的真空范围内预干燥药液。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
后续干燥单元,其从预干燥单元接收进行了预干燥工艺的基板10后对药液进行后续干燥。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
后续干燥单元在比预干燥单元高的温度范围内对药液进行后续干燥。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
提升单元,其在基板支撑部使得基板上升;
移送单元,其将借助于提升单元从基板支撑部上升的基板移送到后续干燥单元,
预干燥单元在基板提升之前预干燥药液。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
预干燥单元部分地干燥包含于药液中的一部分以上的溶剂。
13.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
基板支撑部在使基板浮起的状态下移送。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
基板支撑部利用超声波产生的振动能量使基板浮起。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板支撑部包括:
载体本体,其供基板安装;
吸附孔,其形成于载体本体,使得基板吸附于载体本体,
沿水平平坦地支撑基板。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置,其特征在于,
吸附孔形成独立分割的多个吸附区,
基板处理装置包括控制部,控制部同时或按顺序控制基板上的多个吸附区的吸附。
17.根据权利要求15所述的基板处理装置,其特征在于,
向吸附孔施加真空压力的真空单元可分离地结合于载体本体,在载体本体移动的过程中,真空单元与载体本体分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造