[发明专利]电流分配电路及存储设备有效

专利信息
申请号: 201880098328.8 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN112805656B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 王锐 申请(专利权)人: 北京比特大陆科技有限公司
主分类号: G05F3/08 分类号: G05F3/08
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 朱颖;黄健
地址: 100192 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电流 分配 电路 存储 设备
【说明书】:

一种电流分配电路及存储设备。该电流分配电路包括:电流分配阵列(10)、控制电路(20)和第一保护电路(30);其中,所述电流分配阵列(10)包括阵列分布的晶体管阵列块,且基于基准电流信号产生多路外供电流;所述控制电路(20)用于控制所述电流分配阵列(10)的工作状态;所述第一保护电路(30)用于保护所述控制电路(20)和所述电流分配阵列(10)之间的信号,通过这种方式能够实现大规模的电流分配电路,并且使得大规模的电流分配电路的电流输出可控,且能够保证电路信号稳定,为超大规模的用电模块提供了可用电流。

技术领域

本公开涉及集成电路的电源供电技术,特别是涉及一种电流分配电路及存储设备,

背景技术

DDR(Double Data Rate)是双倍速率同步动态随机存储器。电流分配电路是DDR存储器的重要部分之一,为各个子模块提供固定比例的稳定电流。电流分配电路的设计,决定了DDR整体的性能和稳定,因而尤为重要。现有的DDR中的电流分配电路,采用标准的电流镜结构。对于输入的基准电流,电路功能实现放大想要的倍数,之后输出希望得到的各路电流。

发明内容

本公开实施例提供一种电流分配电路及存储设备,以解决现有技术中电流分配电路的稳定性以及电路规模扩大导致的问题。

第一方面,本公开实施例提出一种电流分配电路,包括:电流分配阵列、控制电路和第一保护电路;其中,

所述电流分配阵列包括阵列分布的晶体管阵列块,且基于基准电流信号产生多路外供电流;

所述控制电路用于控制所述电流分配阵列的工作状态;

所述第一保护电路用于保护所述控制电路和所述电流分配阵列之间的信号。

进一步地,所述电流分配电路还包括:第二保护电路;其中,

所述第二保护电路用于保护所述电流分配电路的电源电压。

进一步地,所述第二保护电路包括电容型保护电路。

进一步地,所述电流分配电路还包括:第三保护电路;其中,

所述第三保护电路用于保护所述电流分配电路与外部模块之间的信号节点。

所述第三保护电路包括电阻型保护电路、电容型保护电路。

进一步地,所述电流分配电路还包括:第四保护电路;

进一步地,所述第四保护电路用于防止所述电流分配电路上关键节点处的瞬间电压高于高压阈值或低于低压阈值。

所述第四保护电路为二极管型保护电路,通过二极管击穿方式来防止所述电流分配电路上关键节点处的瞬间电压高于高压阈值或低于低压阈值。

进一步地,所述电流分配阵列包括M行晶体管阵列块,M为大于等于3的自然数;其中所述M行晶体管阵列块在电路版图布局上包括第一区域、第二区域和第三区域,所述第一区域包括第一行晶体管阵列块,所述第一行晶体管阵列块为基准阵列块,所述第二区域包括第二行至第M-1行晶体管阵列块,所述第二行至第M-1行晶体管阵列块用于复制所述基准阵列块产生的所述基准电流信号而输出至少一路第一外供电流,所述第三区域包括第M行晶体管阵列块,用于复制所述基准阵列块产生的基准电流信号而输出至少一路第二外供电流。

进一步地,所述第一外供电流在电路版图布局上为横向电流,所述第二外供电流在电路版图布局上为纵向电流,且所述第一外供电流的电流值大于所述第二外供电流的电流值。

进一步地,所述第一外供电流和第二外供电流分别提供给不同的外部模块使用。

进一步地,每个所述晶体管阵列块包括阵列分布的多个晶体管,且所述多个晶体管排列形成矩形形状。

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  • 杉浦正一 - 精工电子有限公司
  • 2012-02-10 - 2012-08-22 - G05F3/08
  • 本发明提供一种内部电源电压生成电路,逻辑电路动作时的贯穿电流不会由于构成逻辑电路的P型晶体管和N型晶体管的阈值电压偏差的影响而过大,能够抑制消耗电流。该内部电源电压生成电路生成内部电源端子的内部电源电压,并将所述内部电源电压提供给逻辑电路,所述内部电源电压生成电路具有对给予栅极的电压进行源极跟随器输出的晶体管,内部电源电压的值是根据N型晶体管的阈值电压与P型晶体管的阈值电压的绝对值之和给予的,所述N型晶体管使用与所述逻辑电路内部的N型晶体管相同的制造工艺来形成,所述P型晶体管使用与所述逻辑电路内部的P型晶体管相同的制造工艺来形成。
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