[发明专利]无阻挡层的钨沉积

权利要求书

1.一种处理方法，包含：

将基板表面暴露于硼前驱物以形成非晶硼层，所述基板表面实质上无阻挡层；

将所述非晶硼层暴露于第一金属前驱物以将所述非晶硼层转变为第一金属层；

通过将所述第一金属层暴露于第二金属前驱物，在所述第一金属层上形成第二金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述硼前驱物包含具有通式B_cH_dX_eR_f的一或多个物种，其中每一X是独立地选自F、Cl、Br和I的卤素，每一R是独立选择的C1-C4烷基，c是大于或等于2的任何整数，d、e和f中的各个小于或等于c+2并且d+e+f等于c+2。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属前驱物和所述第二金属前驱物独立地包含WF₆、WCl₆、WCl₅、W(CO)₅、MoF₆、MoCl₅或Mo(CO)₆中的一或多种。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属前驱物实质上不包含氟。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二金属层是通过将所述基板表面分别暴露于第二金属前驱物和反应物而形成。

6.一种处理方法，包含：

将基板表面暴露于硅前驱物以形成非晶硅层，所述基板表面实质上无阻挡层；

将所述非晶硅层暴露于第一金属前驱物以将所述非晶硅层转变为第一金属层；

通过将所述第一金属层暴露于第二金属前驱物，在所述第一金属层上形成第二金属层。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述硅前驱物包含具有通式Si_gH_hX_i的一或多个物种，其中每一X是独立地选自F、Cl、Br和I的卤素，g是大于或等于1的任何整数，h和i各自小于或等于2g+2且h+i等于2g+2。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第一金属前驱物和所述第二金属前驱物独立地包含WF₆、WCl₆、WCl₅、W(CO)₅、MoF₆、MoCl₅或Mo(CO)₆中的一或多种。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述第一金属前驱物实质上不包含氟。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述第二金属层是通过将所述基板表面分别暴露于第二金属前驱物和反应物而形成。

11.一种处理方法，包含：

将基板表面暴露于硅前驱物和硼前驱物以形成包含硅和硼的非晶层，所述基板表面实质上无阻挡层；

将所述非晶层暴露于第一金属前驱物以将所述非晶层转变为第一金属层；

通过将所述第一金属层暴露于第二金属前驱物，在所述第一金属层上形成第二金属层。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述硅前驱物包含具有通式Si_gH_hX_i的一或多个物种，其中每一X是独立地选自F、Cl、Br和I的卤素，g是大于或等于1的任何整数，h和i各自小于或等于2g+2且h+i等于2g+2；并且所述硼前驱物包含具有通式B_cH_dX_eR_f的一或多个物种，其中每一X是独立地选自F、Cl、Br和I的卤素，每一R是独立选择的C1-C4烷基，c是大于或等于2的任何整数，d、e和f中的各个小于或等于c+2并且d+e+f等于c+2。