[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供成膜装置，其加热载置台上的被处理基片并且对该被处理基片供给处理气体，对该被处理基片进行成膜处理，上述成膜装置包括：收纳部，其具有收纳上述载置台的内部空间，上述处理气体能够被供给到上述内部空间并且被感应加热；以上述载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；和升降部，其为了在外部的上述被处理基片的输送装置与上述载置台之间交接上述被处理基片而使上述被处理基片升降，上述旋转轴部和/或上述升降部由热传导率在15W/m·K以下且熔点在1800℃以上的材料形成。

技术领域

(相关申请的相互参考)

本发明基于2017年12月13日在日本申请的发明2017-238854号，主张优先权，并将其内容援引在其中。

本发明涉及对被处理基片进行成膜处理的成膜装置。

背景技术

近年来，在半导体功率器件等电子器件中使用碳化硅(SiC)等化合物半导体。在制造这样的电子器件时，通过在单晶的基片生长具有与基片结晶相同的方位关系的膜的延伸生长，来形成SiC膜等化合物半导体膜。

专利文献1中公开了一种技术，其中作为通过延伸生长而成的SiC膜的成膜装置，包括：用于载置作为被处理基片的SiC基片的载置台；以载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；具有收纳载置台的内部空间的承载件(suscepter)。在该专利文献1的成膜装置中，一边通过对承载件进行感应加热来加热SiC基片，一边对承载件内的载置台上的SiC基片供给处理气体，由此在SiC基片上形成SiC膜。另外，在该专利文献1的成膜装置中，具有设置在上述承载件与载置台之间的隔热件，设置有该隔热件的隔热区域形成于俯视时的承载件内的包含上述轴部的中心区域与周缘区域之间。上述中心区域与周缘区域的载置台具有温度低的倾向，如上述那样形成隔热区域，降低载置台中的隔热区域的上方的温度，降低载置台上的SiC基片的面内的温度不均。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-100462号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

如专利文献1公开的成膜装置，期望通过降低载置台上的SiC基片的面内的温度不均，来抑制在SiC基片的低温部产生的缺陷。另外，通过如上述那样降低SiC基片的面内的温度不均，能够抑制SiC基片的面内的杂质浓度的不均。但是，专利文献1的成膜装置中，在作为加热源的承载件与作为被加热体的载置台之间设置有隔热件，因此，在加热效率方面存在改善的余地。

而且，存在该载置台的热晶圆与载置台的中心连接的旋转轴部散逸，载置台的面内温度分布变得不均匀，被处理基片的面内温度分布变得不均匀的问题。

本发明是鉴于上述情况完成的，其目的在于提供一种高加热效率的能够降低被处理基片的面内的温度不均的成膜装置。

用于解决技术问题的技术方案

解决上述技术问题的本发明的一个方式是一种成膜装置，其加热载置台上的被处理基片并且对该被处理基片供给处理气体，对该被处理基片进行成膜处理，上述成膜装置包括：收纳部，其具有收纳上述载置台的内部空间，上述处理气体能够被供给到上述内部空间并且被感应加热；以上述载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；和升降部，其为了在外部的上述被处理基片的输送装置与上述载置台之间交接上述被处理基片而使上述被处理基片升降，上述旋转轴部和/或上述升降部由热传导率在15W/m·K以下且熔点在1800℃以上的材料形成。