[发明专利]成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其加热载置台上的被处理基片并且对该被处理基片供给处理气体，对该被处理基片进行成膜处理，所述成膜装置的特征在于，包括：

收纳部，其具有收纳所述载置台的内部空间，所述处理气体能够被供给到所述内部空间并且被感应加热；

以所述载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；和

升降部，其为了在外部的所述被处理基片的输送装置与所述载置台之间交接所述被处理基片而使所述被处理基片升降，

所述旋转轴部和/或所述升降部由热传导率在15W/m·K以下且熔点在1800℃以上的材料形成。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述材料的电阻率为10～50μΩ·m。

3.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述材料是碳纤维强化碳复合材料。

4.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述收纳部由碳化硅和/或石墨形成。

5.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述收纳部的内部空间能够通过感应加热被加热到1600℃以上。

6.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

通过所述成膜处理形成SiC膜。