[发明专利]用于控制将由设置在半导体上的结构吸收的具有预定波长的辐射的量的方法

权利要求书

1.一种欧姆接触部，包括：

提供与半导体的欧姆接触部的金属层的堆叠体，所述金属层的堆叠体包括：

下部层，所述下部层被设置为与所述半导体直接接触；以及

辐射吸收控制层，所述辐射吸收控制层被设置在所述下部层之上，所述辐射吸收控制层用于在用于对所述堆叠体与所述半导体进行退火以形成所述欧姆接触部的工艺期间，在使所述堆叠体暴露于辐射期间控制将在所述辐射吸收控制层中吸收的辐射能量的量。

2.一种用于半导体的欧姆接触部，包括：

提供与所述半导体的欧姆接触部的层堆叠体，所述层堆叠体包括：

下部金属层，所述下部金属层被设置为与所述半导体直接接触；

中间层，所述中间层被设置在所述下部层之上，所述中间层对具有预定波长的辐射能量具有预定能量吸收系数；以及

辐射吸收层，所述辐射吸收层被设置在所述中间层之上，所述辐射吸收层对所述辐射能量具有的预定能量吸收系数比所述中间层对所述辐射能量的所述预定能量吸收系数高至少一个数量级。

3.根据权利要求2所述的欧姆接触部，其中，所述辐射能量为红外辐射能量。

4.根据权利要求2所述的欧姆接触部，其中，所述辐射能量包括波长的预定波段。

5.根据权利要求2所述的欧姆接触部，其中，所述中间层具有预定电阻率，并且其中，所述上部层具有的预定电阻率比所述中间层的所述预定电阻率低至少一个数量级。

6.一种使用具有预定波长的辐射来形成与半导体层的欧姆接触部的方法，包括：

(A)提供欧姆接触堆叠体，所述欧姆接触堆叠体包括：

顶层，所述顶层包括对具有所述预定波长的辐射能量具有预定能量吸收系数的层，所述顶层的所述预定能量吸收系数是根据将由用于形成所述欧姆接触部的所述欧姆接触堆叠体吸收的所述辐射能量的量而选择的；以及

导电层，所述导电层处于所述顶层下方并且与所述半导体层接触；以及

(B)对所述欧姆接触堆叠体与所述半导体层进行退火以形成欧姆接触部，包括使所述堆叠体的所述顶层暴露于具有所述预定波长的所述辐射能量。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述辐射能量包括波长的预定波段。

8.一种用于形成至半导体层的欧姆接触部的方法，包括：

(A)提供欧姆接触堆叠体，所述欧姆接触堆叠体包括：

顶层，所述顶层包括对具有预定波长的辐射能量具有预定能量吸收系数并且具有预定电阻率的金属层；以及

导电层，所述导电层处于所述顶层下方，所述导电层对所述辐射能量具有的预定能量吸收系数比所述顶层的所述预定能量吸收系数低至少一个数量级，并且所述导电层具有的预定电阻率比所述顶层的所述预定电阻率高至少一个数量级；以及

(B)使所述欧姆接触堆叠体与所述半导体层合金化以形成所述欧姆接触部，包括使所述堆叠体的所述顶层暴露于具有所述预定波长的所述辐射能量，其中所述辐射能量的部分被所述顶层吸收。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述辐射能量包括波长的预定波段。