[发明专利]氧化铝质烧结体及其制造方法

说明书

本发明涉及氧化铝质烧结体及其制造方法，例如涉及在等离子体处理装置、半导体/液晶显示装置制造用蚀刻机、CVD装置等所使用的部件等中适用的或者在被涂覆的耐等离子体性部件的基材等中适用的氧化铝质烧结体以及上述氧化铝质烧结体的制造方法。

技术领域

本发明涉及氧化铝质烧结体及其制造方法，例如涉及在等离子体处理装置、半导体/液晶显示装置制造用蚀刻机、化学气相沉积(CVD)装置等所使用的部件等中适用的或者在被涂覆的耐等离子体性部件的基材等中适用的氧化铝质烧结体以及上述氧化铝质烧结体的制造方法。

背景技术

氧化铝质烧结体的耐热性、耐化学药品性、耐等离子体性优异，而且高频区域的介电损耗角正切(tanδ)小，因此例如可用于在等离子体处理装置、半导体/液晶显示装置制造用蚀刻机、CVD装置等中使用的部件等，另外可用于被涂布的耐等离子体性部件的基材等。

而且，为了提高该氧化铝质烧结体的耐腐蚀性、介电损耗角正切(介电损耗)，提出了各种方案。

例如，在专利文献1中，以提供具有高耐腐蚀性并且在含有Na的氧化物的同时介电损耗角正切低的氧化铝质烧结体、半导体制造装置用部件以及液晶面板制造装置用部件为目的，提出一种氧化铝质烧结体，其中，在100质量％的全部构成成分中，对Na进行Na₂O换算后的含量为30ppm以上且500ppm以下，对Al进行Al₂O₃换算后的含量为99.4质量％以上，并且，8.5GHz时的介电损耗角正切的值为对Na进行Na₂O换算后的含量的值的0.5倍以下。

另外，在专利文献2中，以提供能够实现与位置的差异相应的介电损耗角正切的偏差的氧化铝质烧结体及其制造方法为目的，提供一种氧化铝质烧结体，其中，Al₂O₃含量包含在99.4质量％～99.8质量％的范围内，Si含量以SiO₂换算计包含在0.11质量％～0.38质量％的范围内，表层部和内部各自的结晶粒径的偏差为0.06μm以下，并且表层部和内部各自的具有6.5μm以上的粒径的结晶的占有率的偏差为0.6％以下。

进而，在专利文献3中，以提供能够在实现提高加工容易性的同时稳定地实现介电损耗角正切的降低的氧化铝质烧结体及其制造方法为目的，提出了一种氧化铝质烧结体，其中，Al₂O₃的纯度为99.3wt％以上，在Al₂O₃晶粒内以按TiO₂换算为0.08wt％～0.20wt％的范围固溶有Ti，在烧结体中以按SiO₂换算为0.05wt％～0.40wt％的范围含有Si。

另外，在专利文献4中，对于耐等离子体部件，在要求更廉价或要求基材强度的情况下，提出了在氧化铝陶瓷基材的表面形成包含Y₂O₃或YAG的具有耐等离子体性的膜。

进而，关于膜形成，例如，专利文献5示出了在用于构成半导体制造装置的基部构件的表面形成厚度200μm以下的陶瓷喷镀皮膜。另外，专利文献5示出了喷镀膜的气孔率为5％～10％。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-163569号公报

专利文献2：日本特开2013-155098号公报

专利文献3：日本特开2013-180909号公报

专利文献4：日本特开2005-225745号公报

专利文献5：日本特开2013-95973号公报

发明内容

发明欲解决的技术问题