[发明专利]高深宽比沉积

权利要求书

1.一种在基板上形成层的方法，包括：

将第一气体和第二气体供应至等离子体腔室的工艺空间，其中将基板设置在所述工艺空间中的基板支撑件上，并且所述基板包括多个高深宽比结构,所述多个高深宽比结构具有至少4:1的深宽比；以及

通过以第一脉冲频率激励耦接至所述等离子体腔室的RF电源，在所述工艺空间内产生所述第一气体和所述第二气体的第一等离子体，以沉积层的第一部分，其中

所述第一脉冲频率为约1kHz至约100kHz，并且

所述第一脉冲频率具有约10％至约50％的占空比。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述多个高深宽比结构具有至少15:1的深宽比。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述层的所述第一部分是包括硅的介电材料，并且在所述沉积所述第一部分期间的所述工艺空间的温度低于300℃。

4.如权利要求1所述的方法，其中在所述沉积所述第一部分期间的所述工艺空间中的压力为约8托至约30托。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一脉冲频率具有约20％至约25％的占空比。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在利用所述第一等离子体在所述基板上沉积厚度为至少的所述层的所述第一部分之后，在不存在所述第一气体和所述第二气体的情况下，将一种或多种处理气体供应至所述工艺空间，其中所述一种或多种处理气体包括氮和氦；以及

在约8托至约30托的压力下，产生所述处理气体的第二等离子体。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括：

在产生所述第二等离子体之后，将所述第一气体和所述第二气体供应至所述等离子体腔室的所述工艺空间；以及

通过以第二脉冲频率激励耦接至所述等离子体腔室的所述RF电源，在产生所述第二等离子体之后，在所述工艺空间内产生所述第一气体和所述第二气体的第三等离子体，以沉积所述层的第二部分，其中

所述第二脉冲频率为约1kHz至约100kHz，并且

所述第二脉冲频率具有约10％至约50％的占空比。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第二脉冲频率与所述第一脉冲频率相同。

9.一种在基板上形成介电层的方法，包括：

将包括硅的第一气体和包括氮的第二气体供应至等离子体腔室的工艺空间，其中将基板设置在所述工艺空间中的基板支撑件上，并且所述基板包括多个高深宽比结构，所述多个高深宽比结构具有至少4:1的深宽比；和

通过以第一脉冲频率激励耦接至所述等离子体腔室的RF电源，在所述工艺空间内产生所述第一气体和所述第二气体的第一等离子体，以沉积介电层的第一部分，其中

所述第一脉冲频率为约1kHz至约100kHz，并且

所述第一脉冲频率具有约10％至约50％的占空比。

10.如权利要求9所述的方法，其中包括硅的所述第一气体包括一种或多种气体，所述一种或多种气体具有大于硅烷的分子量。

11.如权利要求9所述的方法，其中

所述介电层的所述第一部分是氮化硅，并且在所述沉积所述第一部分期间的所述工艺空间的温度低于300℃，并且

在所述沉积所述第一部分期间的所述工艺空间中的压力为约8托至约30托。

12.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

在利用所述第一等离子体在所述基板上沉积厚度为至少的所述介电层的所述第一部分之后，在不存在所述第一气体和所述第二气体的情况下，将一种或多种处理气体供应至所述工艺空间；以及

在约8托至约30托的压力下，产生所述一种或多种处理气体的第二等离子体。