[发明专利]支承玻璃基板和使用其的层叠基板有效
| 申请号： | 201880054592.1 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111033687B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 铃木良太 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C03C23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴磊 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支承 玻璃 使用 层叠 | ||
1.一种支承玻璃基板，其是用于支承加工基板的支承玻璃基板，其特征在于，在支承玻璃基板的表面具备以点作为结构单元的信息识别部，并且从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为350μm以下。
2.根据权利要求1所述的支承玻璃基板，其特征在于，从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为0.1μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，点由环状的沟形成。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，在30℃～380℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为30×10-7/℃以上且165×10-7/℃以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其具有直径100mm～500mm的晶片形状或大致圆板形状，板厚不足2.0mm，整体板厚偏差为5μm以下。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其具有各边为300mm以上的四边形的形状，板厚不足2.0mm，整体板厚偏差为10μm以下。
7.一种层叠基板，其至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板，其特征在于，支承玻璃基板为权利要求1～6中任一项所述的支承玻璃基板。
8.根据权利要求7所述的层叠基板，其特征在于，加工基板至少具备用密封材料模制的半导体芯片。
9.一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
准备至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠基板的工序；和
对加工基板进行加工处理的工序，
并且，支承玻璃基板为权利要求1～6中任一项所述的支承玻璃基板。
10.根据权利要求9所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，加工处理包括对加工基板的一个表面进行布线的工序。
11.根据权利要求9所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，加工处理包括在加工基板的一个表面形成焊料凸块的工序。
12.一种玻璃基板，其特征在于，在表面具备以点作为结构单元的信息识别部，并且从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为350μm以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
