[发明专利]放热构件用组合物、放热构件、电子机器、放热构件的制造方法在审
申请号: | 201880050456.5 | 申请日: | 2018-08-23 |
公开(公告)号: | CN111051466A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 氏家研人;藤原武;国信隆史;滝沢和宏 | 申请(专利权)人: | 捷恩智株式会社 |
主分类号: | C09K5/14 | 分类号: | C09K5/14;H01L23/373;H05K7/20 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 日本东京千代田区大手町二丁*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放热 构件 组合 电子 机器 制造 方法 | ||
本发明获得一种可形成同时具有高的耐热性与高的导热率的放热构件的组合物。本发明的放热构件用组合物为含有如下成分的放热构件用组合物:与第1硅烷偶合剂(11)的一端键结的第1无机填料(1)、与第2硅烷偶合剂(12)的一端键结的第2无机填料(2)以及二官能以上的羧酸酐(21)。
技术领域
本发明涉及一种可形成用于电子基板等电子机器中的放热构件的组合物。进而,涉及一种可通过效率良好地传导、传递电子机器中产生的热而进行放热的放热构件。
背景技术
近年来,在混合动力汽车或电动汽车等的电力控制用半导体元件、或高功能计算机用的中央处理单元(Central Processing Unit,CPU)等中,因宽能带隙(wide band gap)半导体的利用等,其动作温度有所上升。尤其在备受瞩目的碳化硅(SiC)半导体等中,动作温度成为200℃以上,因此对其封装材料要求250℃以上的高耐热性。进而,由于动作温度的上升,因封装体内所使用的材料间的热膨胀率的差而产生热应变,由配线的剥离等引起的寿命的降低也成为问题。
为了解决此种耐热问题,开发出氮化铝或氮化硅等的高导热陶瓷基板、或与用以使导热率提高的无机填料复合化而成的高耐热的有机树脂或硅酮树脂,尤其是正在进行噁嗪等高耐热树脂、或高耐热硅酮树脂的开发。专利文献1中,公开有一种耐热性优异的聚苯并噁嗪改性双马来酰亚胺树脂,但并不具有充分的耐热性,进而进行高耐热的材料的开发。
作为解决此种放热问题的方法,可列举使高导热性材料(放热构件)接触于发热部位,将热导出至外部而进行放热的方法。专利文献2中,公开有一种放热构件,其为使有机材料与无机材料复合化而成的放热构件,且无机材料间由硅烷偶合剂与聚合性液晶化合物连接。通过由硅烷偶合剂与聚合性液晶化合物连接,可极其提高无机材料间的导热性。但是,通过这些方法所获得的放热构件使用液晶化合物,因此导热率虽高,但耐热性并不充分。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2012-97207号公报
专利文献2:国际公开第2015/170744号
发明内容
发明所要解决的问题
因此,本发明的课题为提供一种可形成同时具有高的导热率、与高的耐热性的放热构件的组合物及使用所述组合物获得的放热构件。
解决问题的技术手段
本发明人等人为了解决所述课题而进行了努力研究。结果,发现若在树脂中并不添加氮化硼等无机材料而是以将无机材料彼此连接的形态、即、使无机材料与硅烷偶合剂等有机材料键结并添加至树脂中而使用,则可形成导热率高的放热构件,进而可提高耐热性,从而完成了本发明。
本发明的第1形态的放热构件用组合物含有:与第1硅烷偶合剂的一端键结的第1无机填料、与第2硅烷偶合剂的一端键结的第2无机填料以及二官能以上的羧酸酐。例如,如图2所示,为一种放热构件用组合物,包含:与第1硅烷偶合剂11的一端键结的第1无机填料1、与第2硅烷偶合剂12的一端键结的第2无机填料2,且通过硬化处理,所述第1硅烷偶合剂11的另一端与所述第2硅烷偶合剂12的另一端分别与二官能以上的羧酸酐21键结。
所谓“一端”及“另一端”,只要为分子形状的边缘或端部即可,可为分子的长边的两端也可不为分子的长边的两端。
若如此构成,则可经由硅烷偶合剂及羧酸酐使无机填料彼此键结而形成放热构件。因此,可直接传播作为导热的主要要素的声子(phonon),因此由放热构件用组合物所获得的放热构件可具有极高的导热性、与极高的耐热性。
本发明的第2形态的放热构件用组合物是根据所述本发明的第1形态的放热构件用组合物,其中与第1硅烷偶合剂的一端键结的第1无机填料中,所述第1硅烷偶合剂的另一端与二官能以上的羧酸酐键结。
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