[发明专利]具有内在去耦电容器的单元架构

说明书

IC包括单元阵列和第一组端帽单元。单元阵列包括耦合到第一电压的第一组Msubgt;x/subgt;层功率互连、第一组Msubgt;x/subgt;层互连、耦合到第二电压源的第二组Msubgt;x/subgt;层功率互连、以及第二组Msubgt;x/subgt;层互连。第一组端帽单元包括第一组Msubgt;x+1/subgt;层互连和第二组Msubgt;x+1/subgt;层互连。第一组Msubgt;x+1/subgt;层互连被耦合到第一组Msubgt;x/subgt;层功率互连和第二组Msubgt;x/subgt;层互连，以提供第一组去耦电容器。第二组Msubgt;x+1/subgt;层互连被耦合到第二组Msubgt;x/subgt;层功率互连和第一组Msubgt;x/subgt;层互连，以提供第二组去耦电容器。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年8月2日提交的标题为“CELL ARCHITECTURE WITH INTRINSICDECOUPLING CAPACITOR”的美国专利申请号15/667,576的优先权，其通过整体引用明确地合并于此。

技术领域

本公开总体上涉及单元架构，更特别地，涉及具有一个或多个内在去耦电容器的单元架构。

背景技术

标准单元设备是实现数字逻辑的集成电路(IC)。诸如片上系统(SoC)设备的专用IC(ASIC)可能包括成千上万个标准单元设备。典型的IC包括依次形成的层的堆叠。每一层可以被堆叠或覆盖在先前的层上并且被图案化以形成限定晶体管(例如，场效应晶体管(FET)和/或鳍式场效应晶体管(FinFET))的形状，并且将晶体管连接到电路中。

去耦电容器(也称为旁路电容器)使电路的一部分与电路的另一部分去耦合。由电路元件引起的噪声可能会通过去耦电容器分流，从而降低了噪声对其他电路元件的影响。当前需要对去耦电容器的设计进行改进。

发明内容

在本公开的方面中，IC至少包括第一IC部分和在第一IC部分的第一侧上的第二IC部分。IC包括在第一IC部分中的单元阵列。单元阵列包括：第一组金属x(M_x)层功率互连，该第一组金属层功率互连被耦合到第一电压源，并且在第一方向上跨单元阵列、邻近于p型金属氧化物半导体(MOS)(pMOS)的有源区域延伸；第一组M_x层互连，在第一方向上跨单元阵列、邻近于pMOS有源区域延伸；第二组M_x层功率互连，被耦合到小于第一电压源的第二电压源，并且在第一方向上跨单元阵列、邻近于n型MOS(NMOS)有源区域延伸；以及第二组M_x层互连，在第一方向上跨单元阵列、邻近于nMOS有源区域延伸。IC还包括在第二IC部分中的第一组端帽单元。第一组M_x层功率互连、第一组M_x层互连、第二组M_x层功率互连、以及第二组M_x层互连跨第一组端帽单元进一步延伸。第一组端帽单元包括在与第一方向正交的第二方向上延伸的第一组金属x+1(M_x+1)层互连。第一组M_x+1层互连被耦合到第一组M_x层功率互连和第二组M_x层互连，以在第二组M_x层互连处提供第一电压源。第一组端帽单元还包括在第二方向上延伸的第二组M_x+1层互连。第二组M_x+1层互连被耦合到第二组M_x层功率互连和第一组M_x层互连，以在第一组M_x层互连处提供第二电压源。第一组M_x层功率互连和第一组M_x层互连用作第一组去耦电容器，以及第二组M_x层功率互连和第二组M_x层互连用作第二组去耦电容器。