[发明专利]具有内在去耦电容器的单元架构

权利要求书

1.一种集成电路IC，所述IC至少包括第一IC部分和在所述第一IC部分的第一侧上的第二IC部分，所述IC包括：

在所述第一IC部分中的单元阵列，所述单元阵列包括：第一组金属M_x层功率互连，所述第一组M_x层功率互连被耦合到第一电压源，并且在第一方向上跨所述单元阵列、邻近于pMOS有源区域延伸；第一组M_x层互连，在所述第一方向上跨所述单元阵列、邻近于所述pMOS有源区域延伸；第二组M_x层功率互连，被耦合到小于所述第一电压源的第二电压源，并且在所述第一方向上跨所述单元阵列、邻近于nMOS有源区域延伸；以及第二组M_x层互连，在所述第一方向上跨所述单元阵列、邻近于所述nMOS有源区域延伸；以及

在所述第二IC部分中的第一组端帽单元，其中所述第一组M_x层功率互连、所述第一组M_x层互连、所述第二组M_x层功率互连、以及所述第二组M_x层互连跨所述第一组端帽单元进一步延伸，所述第一组端帽单元包括：

第一组金属M_x+1层互连，在与所述第一方向正交的第二方向上延伸，所述第一组M_x+1层互连被耦合到所述第一组M_x层功率互连和所述第二组M_x层互连，以在所述第二组M_x层互连处提供所述第一电压源；以及

第二组M_x+1层互连，在所述第二方向上延伸，所述第二组M_x+1层互连被耦合到所述第二组M_x层功率互连和所述第一组M_x层互连，以在所述第一组M_x层互连处提供所述第二电压源，

其中所述第一组M_x层功率互连和所述第一组M_x层互连用作第一组去耦电容器，并且所述第二组M_x层功率互连和所述第二组M_x层互连用作第二组去耦电容器。

2.根据权利要求1所述的IC，其中所述第一组M_x层功率互连和所述第一组M_x层互连在所述第二方向上交错，并且所述第二组M_x层功率互连和所述第二组M_x层互连在所述第二方向上交错。

3.根据权利要求2所述的IC，其中所述第一组M_x层功率互连包括S_1p个M_x层功率互连，所述第一组M_x层互连包括S₁个M_x层互连，所述第二组M_x层功率互连包括S_2p个M_x层功率互连，并且所述第二组M_x层互连包括S₂个M_x层互连，其中|S_1p-S₁|≤1且|S_2p-S₂|≤1，并且其中所述第一组M_x层功率互连和所述第一组M_x层互连形成S_1p+S₁-1个去耦电容器，并且所述第二组M_x层功率互连和所述第二组M_x层互连形成S_2p+S₂-1个去耦电容器。

4.根据权利要求1所述的IC，其中所述第一组M_x+1层互连和所述第二组M_x+1层互连在所述第一方向上交错。