[发明专利]电容器

说明书

电容器(100)具备：基体材料(110)，具有相互对置的第一主面(110A)和第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有沟槽部(111)；介电膜(130)，在基体材料(110的第一主面(110A)侧设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，具有第一导电体层(141)和第二导电体层(142)，其中，上述第一导电体层(141)设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域且是介电膜(130)上，上述第二导电体层(142)设置在第一导电体层(141)上；以及应力缓和部(160)，与第一导电体层(141)的端部的至少一部分接触来设置，在基体材料(110)的第一主面(110A)中的沟槽部(111)的外侧，应力缓和部(160)的厚度(T6)比导电体膜(140)的厚度(T4)小。

技术领域

本发明涉及电容器。

背景技术

随着所安装的电子设备的高功能化，电容器需要进行电容密度的提高、耐电压的改善等性能提高。为了提高电容器电容密度，公开有形成有由沟槽部构成的电容器结构的电容器。为了在高动作电压下稳定地动作，公开有将电容器的介电膜厚膜化的结构。但是，若介电膜进行厚膜化，则有介电膜会因随着膜厚而增大的介电膜的内部应力而损伤，且电容器的可靠性受损的可能。特别是在具有沟槽部的电容器的情况下，由于因设置了沟槽部而产生的基板的刚性的降低、朝向沟槽部的角部的应力集中等，容易产生介电膜的损伤。

为了抑制由内部应力产生的介电膜的损伤，在专利文献1中，公开了通过在第一主表面区域以及第二主表面区域这两面具有电容器结构的结构、在第一主表面区域具有电容器结构并在第二主表面区域具有补偿结构的结构，来减少基板的变形的电容器。

专利文献1:日本专利第5981519号公报

然而，上部电极的内部应力集中于上部电极的端部。若集中于该端部的内部应力被传递至介电膜，则存在介电膜损伤的可能。但是，在专利文献1所记载的电容器中，可抑制基板的变形，但施加于第一主表面的内部应力本身并未减少，特别是集中于上部电极的端部的内部应力未得到缓和，所以存在无法充分地抑制介电膜的损伤的可能。

发明内容

本发明是鉴于这样的事情而完成的，其目的在于提供一种能够提高可靠性的电容器。

本发明的一个方式的电容器还具备：基体材料，具有相互对置的第一主面和第二主面，并在第一主面侧形成有沟槽部；介电膜，在基体材料的第一主面侧设置于包含沟槽部的内侧的区域；导电体膜，具有第一导电体层和第二导电体层，其中，第一导电体层设置在包含沟槽部的内侧的区域且是介电膜上，第二导电体层设置在第一导电体层上；以及应力缓和部，与第一导电体层的端部的至少一部分接触，在基体材料的第一主面中的沟槽部的外侧，应力缓和层的厚度比导电体膜的厚度小。

本发明的另一方式的电容器具备：基体材料，具有相互对置的第一主面和第二主面，并在第一主面侧形成有沟槽部；介电膜，在基体材料的第一主面侧设置于包含沟槽部的内侧的区域；导电体膜，具有第一导电体层和第二导电体层，其中，第一导电体层设置于包含沟槽部的内侧的区域且是介电膜上，第二导电体层，设置在第一导电体层上；以及应力缓和部，与第一导电体层的端部的至少一部分接触来设置，应力缓和部的残余应力的朝向与第二导电体层的残余应力的朝向相反。

根据本发明，能提供一种能够提高可靠性的电容器。

附图说明

图1是示意性地表示第一实施方式的电容器的结构的剖视图。

图2是以图1所示的电容器的应力缓和层为中心的放大剖视图。

图3是表示第一实施方式的电容器的制造方法的流程图。

图4是表示在第一导电体层上设置SiO₂膜的工序的剖视图。

图5是表示对SiO₂膜进行图案化来设置应力缓和层的工序的剖视图。