[发明专利]基板处理装置以及基板处理装置的构件检查方法在审
申请号: | 201880043431.2 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN110870045A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 桥诘彰夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金辉;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 构件 检查 方法 | ||
本发明的基板处理装置用以通过处理液进行基板处理,并具备:检查单元,检查用以构成前述基板处理装置的构件的劣化;前述检查单元具备:拍摄单元,取得前述构件的图像数据;颜色信息取得单元,从通过前述拍摄单元所取得的图像数据取得检查对象的构件的颜色信息;以及劣化判定单元,是依据所取得的前述颜色信息判定前述检查对象的构件的劣化的程度。
技术领域
本发明是关于一种用以处理基板的基板处理装置。更具体而言,有关于一种具备构件的检查手段的基板处理装置以及用以检查基板处理装置的构件的方法。此外,在本说明书中所称的基板包括例如半导体晶圆、液晶显示器用基板、等离子显示器用基板、有机EL(electroluminescence;电致发光)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩(photomask)基板、陶瓷基板、太阳光电池用基板等。
背景技术
以往,作为这种装置,批次(batch)式的装置以及单张式的装置广为人知(例如专利文献1、专利文献2);所谓批次式的装置是指用以将处理液储留于处理槽,使用用以保持基板的升降器(lifter)将基板浸渍于该处理槽并进行基板的洗净;所谓单张式的装置是指用以将基板水平地保持并使基板旋转,且从喷嘴对旋转中的该基板喷出处理液。
以使用于基板处理的药液所致使的抗蚀为目的,对这些装置的构成构件施予PTFE(polytetrafluoroethylene;聚四氟乙烯)、PFA(tetrafluoroethylene-par fluoro alkylvinyl ether copolymer;四氟乙烯共聚合物)等的树脂涂布。例如,若为批次式的装置,浸渍于药液的升降器在由石英所构成的构件本体设置有金属制的基底并施予前述树脂涂布,以防止药液导致构件本体的劣化。此外,在单张式的装置中,也以防止起因于金属制的构件(例如洗涤(scrubber)装置中的钛盘(titanium disk)等)所致使的基板的金属污染、防止产生微粒(particle)等为目的而对金属制构件施予前述树脂涂布。
上述树脂涂布因为长期间使用而有下述问题:发生针孔(pinhole)等异常,且以此为原因产生因树脂的剥离而致使的微粒,或者树脂涂布的基底部分的金属溶出而产生金属污染。尤其是,当在批次式装置的升降器中用以保持基板的梳状(comb-shaped)部的涂布(coating)剥离且槽的宽度变大时,会变得无法正确地保持基板,而成为相互相邻保持的基板彼此接触的主要原因。
此外,在单张式的装置中,为了抑制装置内带电对基板造成不良影响,会有在用以载置基板的旋转基座(spin base)、用以固定基板的夹具销(chuck pin)等构件使用PFA-CF(含碳纤维的四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)、ETFE(乙烯-四氟乙烯共聚物)此类的含有碳的导电性材料的情形。由于会有在基板洗净处理的前工序的阶段基板自身带电或者随着处理中的基板的旋转而装置内部带电的情形,因此使用了上述各种导电性材料来接地,将电荷除电至装置外。
由上述各种含有碳的导电性材料所构成的构件会因为在基板的处理中所使用的药液而使碳逐渐消失并劣化。如此,由于会产生构件的强度降低、产生微粒(particle)(细微的屑)这种问题,因此上述构件需要在适当的时机点更换。
因此,以往定期地进行使用了实际基板的检查运转,计测由该检查运转所产生的微粒的量、金属浓度等,借此测量构件的劣化度,并在发现异常时,作出进行构件的更换等对策。
然而,在这种方法中,难以适时地检测构件的异常。此外,会产生需要仅在检查时运转装置(装置运转率降低)这种问题。再者,也会有在装置构件实际上产生异常后直至通过检查检测出异常为止的期间,在存在异常的状态下进行基板处理的问题。此外,由于无法以各个构件单位测定劣化度,因此会有即使存在实际上尚未劣化的良好状态的构件也需要整体更换(修理成本的提升)的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-96012号公报。
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造