[发明专利]检查系统和检查系统中的温度测定方法有效
申请号: | 201880033005.0 | 申请日: | 2018-03-01 |
公开(公告)号: | CN110709972B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 望月纯;山崎祯人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01K11/12 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 系统 中的 温度 测定 方法 | ||
检查系统(10)具备:检查装置(30),其具有用于载置基板(W)的载置台(21),检查装置(30)用于对载置台(21)上的基板(W)进行检查;调温机构(63),其用于对载置台(21)进行调温;基板收容部(17a);温度测定基板等待部(17c),其使温度测定基板(TW)等待;搬送装置(18),其用于将基板(W)和温度测定基板(TW)搬送至载置台(21)上;以及照相机(16),其用于载置台(21)上的基板(W)的对准。温度测定基板(TW)在表面具有状态根据温度而变化的温度测定构件(52),由搬送装置(18)将温度测定基板(TW)搬送至所述载置台,并由照相机(16)拍摄温度测定构件(52),根据温度测定构件(52)的状态变化来测定温度测定基板(TW)的温度。
技术领域
本发明涉及一种检查形成于半导体晶圆等基板上的器件的电气特性的检查系统和检查系统中的温度测定方法。
背景技术
在半导体器件的制造工艺中,在半导体晶圆(下面仅记作晶圆)中的全部的工艺结束的阶段,对形成于晶圆的多个半导体器件(下面仅记作器件)进行电气检查。作为进行这种检查的检查装置,已知如下一种检查装置(例如专利文献1):与用于吸附保持晶圆的载置台(卡盘顶部)相向地配置具有用于与形成于晶圆的半导体器件接触的探针的探针卡,向探针卡按压载置台上的晶圆,由此使探针卡的各接触探针与器件的电极接触来检查电气特性。
另一方面,近来,要求对大量的半导体晶圆高速地进行检查,从而提出一种具备多个检查装置、收纳多个晶圆的收纳容器、以及用于从收纳容器向各检查装置搬送晶圆的搬送装置的检查系统(例如专利文献2)。
另外,在这种检查装置、检查系统中,尤其在进行高温检查、低温检查的情况下,晶圆的温度、温度分布是很重要的。因此,在开始检查前等通过接触型或非接触型的温度计来测定载置台表面的温度。
另外,虽然不是进行器件的检查的装置的例子,但在专利文献3中,作为太阳能电池模块的检查装置,公开了具有遮蔽太阳能电池模块的单元以及在遮蔽的状态下探测太阳能电池模块的温度的单元的装置,作为探测温度的单元,记载了使用热敏纸、涂布有根据温度变化而变色的涂料的标签等。
专利文献1:日本特开2004-140241号公报
专利文献2:日本特开2013-254812号公报
专利文献3:日本特开2001-24204号公报
发明内容
然而,在利用接触型或非接触型的温度计来测定载置台表面的温度的情况下,必须在使装置停止的状态下进行,导致吞吐量下降。另外,不是测定晶圆的实际的温度,因此测定精度未必高。
另外,在专利文献3的技术中,由具有探测温度的单元的检查装置直接安装于测温对象,因此精度高,但即使将该技术应用于器件的检查,也还是在使装置停止的状态下进行。
通过在检查系统中搭载红外线照相机,能够不使装置停止地进行在线的温度测定,但需要新的装置设计,从而成本增高。
因而,本发明的目的在于提供一种能够在线且高精度地、并且不使用新的设备地掌握检查时的被检查基板的温度的检查系统和检查系统中的温度测定方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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