[发明专利]使用机械压制的图案形成显示器的系统和方法在审
申请号: | 201880028145.9 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN110574167A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | S·M·加纳;T·J·基克辛斯基;W·E·洛克;T·M·松纳 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/20 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张璐;项丹 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热玻璃材料 玻璃基材 滚动表面 冷却辊 图案化 压制 图案 表面特征 机械压制 图案形成 规模化 基材 显示器 延伸 | ||
1.一种连续的基材形成系统,所述系统包括:
冷却辊,通过所述冷却辊压制处于第一温度的第一加热玻璃材料,从而产生处于第二温度和粘度的第二加热玻璃材料;和
结构辊,通过所述结构辊对所述第二加热玻璃材料进行压制,以将图案形成到第二加热玻璃材料中,从而产生图案化的玻璃基材,其中所述结构辊包括滚动表面,多个结构从所述滚动表面延伸,并且其中图案化的玻璃基材中的图案对应于所述多个结构。
2.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述图案化的玻璃基材中的图案包括延伸到图案化的玻璃基材中的多个开口。
3.如权利要求2所述的系统,其特征在于,多个开口中的每个开口的最大宽度为一(1)微米至二百(200)微米,并且其中多个开口中的每个开口的最大深度为一半微米(0.5微米)至十微米(10微米)。
4.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述多个结构包括从滚动表面延伸的多个圆柱形结构,并且其中图案化的玻璃基材中的图案包括延伸到图案化的玻璃基材中的多个圆柱形开口。
5.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述圆柱形开口的直径为一(1)微米至二百(200)微米,并且其中圆柱形开口的深度为一半微米(0.5微米)至十微米(10微米)。
6.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一加热玻璃材料是无碱金属材料。
7.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一加热玻璃材料是熔融的。
8.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述粘度小于500kP。
9.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述结构辊是第一结构辊,所述系统还包括:
第二结构辊,其中所述第二加热玻璃材料被压制在第一结构辊和第二结构辊之间。
10.如权利要求1所述的系统,所述系统还包括:
平坦表面传送带,其中第二加热玻璃材料被压制在结构辊和平坦表面传送带之间。
11.一种形成基材的方法,所述方法包括:
用冷却辊对处于第一温度的第一加热玻璃材料进行连续压制,从而产生处于第二温度和粘度的第二加热玻璃材料;和
用结构辊对第二加热玻璃材料进行连续压制以在第二加热玻璃材料中形成图案,从而产生图案化的玻璃基材,其中所述结构辊包括滚动表面,多个结构从所述滚动表面延伸,并且其中图案化的玻璃基材中的图案对应于所述多个结构。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述图案化的玻璃基材中的图案包括延伸到图案化的玻璃基材中的多个开口,所述方法还包括:
将来自图案化的玻璃基材的显示基材放置在流体组装系统中;和
使微LED在载体流体中的悬浮液相对于显示基材的表面移动,以使得微LED的子集沉积到所述多个开口中。
13.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述图案化的玻璃基材中的图案包括延伸到所述图案化的玻璃基材中的多个开口,并且其中所述多个开口中的每个开口的最大宽度为一(1)微米至二百(200)微米,并且其中所述多个开口中的每个开口的最大深度为一半微米(0.5微米)至十微米(10微米)。
14.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述多个结构包括从滚动表面延伸的多个圆柱形结构,并且其中图案化的玻璃基材中的图案包括延伸到图案化的玻璃基材中的多个圆柱形开口。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述圆柱形开口的直径为一(1)微米至二百(200)微米,并且其中圆柱形开口的深度为一半微米(0.5微米)至十微米(10微米)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的